Версия для печати
Технические характеристики IRG4PC50FD

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	600V
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	1.6V @ 15V, 39A
Current - Collector (Ic) (Max)	70A
Power - Max	200W
Тип входа	Standard
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-247-3 (TO-247AC)
Корпус	TO-247AC

IRG4PC50FD (IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)) Insulated Gate Bipolar Transistor Производитель: International Rectifier //www.irf.com IRG4PC50FD datasheet 214.08Kb 10стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

IGBT - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		DM0265R		SMPS сх. упpавления, MOSFET 650В, 8А,92 ... 108кГц, 27Вт	FAIR
		DM0265R		SMPS сх. упpавления, MOSFET 650В, 8А,92 ... 108кГц, 27Вт			134.00
		DM0265R		SMPS сх. упpавления, MOSFET 650В, 8А,92 ... 108кГц, 27Вт	1
		DM0265R		SMPS сх. упpавления, MOSFET 650В, 8А,92 ... 108кГц, 27Вт	4-7 НЕДЕЛЬ	560
		IRFP250N		Транзистор полевой	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFP250N		Транзистор полевой	RECTIFIER
		IRFP250N		Транзистор полевой		520	71.85
		IRFP250N		Транзистор полевой	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFP250N		Транзистор полевой	МЕКСИКА
		IRFP250N		Транзистор полевой	INFINEON
		IRFP250N		Транзистор полевой	JSMICRO	241	68.51
		TDA7377		УНЧ 4x6W, 2x20W BTL (14.4V/4 Ом), max 2x35W, Gv=26dB	ST MICROELECTRONICS
		TDA7377		УНЧ 4x6W, 2x20W BTL (14.4V/4 Ом), max 2x35W, Gv=26dB			272.00
		TDA7377		УНЧ 4x6W, 2x20W BTL (14.4V/4 Ом), max 2x35W, Gv=26dB	ST MICROELECTRONICS SEMI
		TDA7377		УНЧ 4x6W, 2x20W BTL (14.4V/4 Ом), max 2x35W, Gv=26dB	ГЕРМАНИЯ
		TDA7377		УНЧ 4x6W, 2x20W BTL (14.4V/4 Ом), max 2x35W, Gv=26dB	ST1
		TDA7377		УНЧ 4x6W, 2x20W BTL (14.4V/4 Ом), max 2x35W, Gv=26dB	4-7 НЕДЕЛЬ	500
		КТ3107И		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный		453	11.04
		КТ3107И		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	КРЕМНИЙ	660	9.07
		КТ3107И		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	МИНСК
		КТ3107И		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	СВЕТЛАНА
		КТ3107И		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	РИГА
		КТ3107И		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	БРЯНСК	7 308	12.60
		КТ3107И		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	RUS
		КТ3107И		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ИНТЕГРАЛ
		КТ3107И		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ПРОХЛАДНЫЙ
		КТ3107И		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	НАЛЬЧИК
		КТ3107И		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	АЛЕКСАНДРОВ
		КТ3107И		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	КРЕМНИЙ ЭЛ	8	6.66
		КТ315В		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный		165 776	5.55
		КТ315В		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	НАЛЬЧИК
		КТ315В		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	КРЕМНИЙ

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"