|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
DM0265R |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650В, 8А,92 ... 108кГц, 27Вт
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
DM0265R |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650В, 8А,92 ... 108кГц, 27Вт
|
|
|
134.00
|
|
|
|
DM0265R |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650В, 8А,92 ... 108кГц, 27Вт
|
1
|
|
|
|
|
|
DM0265R |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650В, 8А,92 ... 108кГц, 27Вт
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
560
|
|
|
|
|
IRFP250N |
|
Транзистор полевой
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFP250N |
|
Транзистор полевой
|
RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFP250N |
|
Транзистор полевой
|
|
520
|
71.85
|
|
|
|
IRFP250N |
|
Транзистор полевой
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFP250N |
|
Транзистор полевой
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
IRFP250N |
|
Транзистор полевой
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRFP250N |
|
Транзистор полевой
|
JSMICRO
|
241
|
68.51
|
|
|
|
TDA7377 |
|
УНЧ 4x6W, 2x20W BTL (14.4V/4 Ом), max 2x35W, Gv=26dB
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
TDA7377 |
|
УНЧ 4x6W, 2x20W BTL (14.4V/4 Ом), max 2x35W, Gv=26dB
|
|
|
272.00
|
|
|
|
TDA7377 |
|
УНЧ 4x6W, 2x20W BTL (14.4V/4 Ом), max 2x35W, Gv=26dB
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
TDA7377 |
|
УНЧ 4x6W, 2x20W BTL (14.4V/4 Ом), max 2x35W, Gv=26dB
|
ГЕРМАНИЯ
|
|
|
|
|
|
TDA7377 |
|
УНЧ 4x6W, 2x20W BTL (14.4V/4 Ом), max 2x35W, Gv=26dB
|
ST1
|
|
|
|
|
|
TDA7377 |
|
УНЧ 4x6W, 2x20W BTL (14.4V/4 Ом), max 2x35W, Gv=26dB
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
500
|
|
|
|
|
КТ3107И |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
|
453
|
11.04
|
|
|
|
КТ3107И |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
660
|
9.07
|
|
|
|
КТ3107И |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ3107И |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
СВЕТЛАНА
|
|
|
|
|
|
КТ3107И |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
РИГА
|
|
|
|
|
|
КТ3107И |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
БРЯНСК
|
7 308
|
12.60
|
|
|
|
КТ3107И |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ3107И |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ3107И |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ПРОХЛАДНЫЙ
|
|
|
|
|
|
КТ3107И |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
НАЛЬЧИК
|
|
|
|
|
|
КТ3107И |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
КТ3107И |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
КРЕМНИЙ ЭЛ
|
8
|
6.66
|
|
|
|
КТ315В |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
|
165 776
|
5.55
|
|
|
|
КТ315В |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
НАЛЬЧИК
|
|
|
|
|
|
КТ315В |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
|
|
|