IRG4PC50FD
Транзистор IGBT модуль единичный
|
|
Версия для печати
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.6V @ 15V, 39A |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 70A |
| Power - Max | 200W |
| Тип входа | Standard |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-247-3 (TO-247AC) |
| Корпус | TO-247AC |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRG4PC50FD (IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)) Insulated Gate Bipolar Transistor
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 100МКФ 160 (13X26)105°C |
|
|
||||||
 |
 |
IRFP250N |
|
Транзистор полевой | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRFP250N |
|
Транзистор полевой | RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRFP250N |
|
Транзистор полевой | 468 | 71.85 | ||
|
|
|
IRFP250N |
|
Транзистор полевой | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRFP250N |
|
Транзистор полевой | МЕКСИКА |
|
|
|
|
|
|
IRFP250N |
|
Транзистор полевой | INFINEON |
|
|
|
|
|
|
IRFP250N |
|
Транзистор полевой | JSMICRO | 304 | 51.07 | |
| UC3842BD1R2G | ONS |
|
|
|||||
| UC3842BD1R2G | ON Semiconductor |
|
|
|||||
| UC3842BD1R2G |
|
|
||||||
 |
КР590КН7 | 1 624 | 34.02 | |||||
|
|
КР590КН7 | МИКРО-М |
|
|
||||
|
|
КР590КН7 | СВЕТЛАНА | 7 320 | 25.20 | ||||
|
|
КР590КН7 | МИКРО М |
|
|
||||
|
|
КР590КН7 | RUS |
|
|
||||
|
|
КР590КН7 | МИКРОМ |
|
|
||||
| ПАЯЛЬНИК ГАЗОВЫЙ PROSKIT 1PK-GS003N | PROSKIT |
|
|
|||||
| ПАЯЛЬНИК ГАЗОВЫЙ PROSKIT 1PK-GS003N | ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) |
|
|
|||||
| ПАЯЛЬНИК ГАЗОВЫЙ PROSKIT 1PK-GS003N | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
|||||
| ПАЯЛЬНИК ГАЗОВЫЙ PROSKIT 1PK-GS003N | PRO'SKIT |
|
|
