AT25080B-SSHL-B

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
AT25080B-SSHL-B (4-7 НЕДЕЛЬ)	212	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики AT25080B-SSHL-B

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Формат памяти	EEPROMs - Serial
Тип памяти	EEPROM
Объем памяти	8K (1K x 8)
Скорость	5MHz, 10MHz, 20MHz
Интерфейс подключения	SPI, 3-Wire Serial
Напряжение питания	1.8 V ~ 5.5 V
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SOIC

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
AT25080AN-10SU-2.7	Последовательная память EEPROM (8K,1024x8 bit, 1M циклов, SPI compatible interface, ...	ATMEL	1	26.23
AT25080AN-10SU-2.7	Последовательная память EEPROM (8K,1024x8 bit, 1M циклов, SPI compatible interface, ...			62.20
AT25080AN-10SU-2.7	Последовательная память EEPROM (8K,1024x8 bit, 1M циклов, SPI compatible interface, ...	ATMEL CORPORATION	56
AT25080AN-10SU-2.7	Последовательная память EEPROM (8K,1024x8 bit, 1M циклов, SPI compatible interface, ...	КОРЕЯ РЕСПУБЛИК
AT25080AN-10SU-2.7	Последовательная память EEPROM (8K,1024x8 bit, 1M циклов, SPI compatible interface, ...	4-7 НЕДЕЛЬ	240
M93C86-MN6TP		ST MICROELECTRONICS	1	52.69
M93C86-MN6TP		STMicroelectronics
M93C86-MN6TP
M93C86-MN6TP		4-7 НЕДЕЛЬ	276
M95320-RDW6TP		ST MICROELECTRONICS	505	31.29
M95320-RDW6TP
M95320-RDW6TP		4-7 НЕДЕЛЬ	240
M95320-WDW6TP		ST MICROELECTRONICS
M95320-WDW6TP		STMicroelectronics
M95320-WDW6TP		ST MICROELECTRONICS SEMI
M95320-WDW6TP
M95320-WDW6TP		4-7 НЕДЕЛЬ	784
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	NEC
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRONICS	266	32.13
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	UTC
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА		32	14.76
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	STMICROELECTRONICS
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRONICS SEMI	5
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	Fairchild Semiconductor
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTR
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	КИТАЙ
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST1
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRO
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	STMICROELECTR
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	HGSEMI	2 860	11.66
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	4-7 НЕДЕЛЬ	552