Версия для печати
Технические характеристики SIHG20N50C-E3

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	270 mOhm @ 10A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	20A
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	76nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2942pF @ 25V
Power - Max	292W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-247-3
Корпус	TO-247AC

SIHG20N50C-E3 datasheet

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BUH315D		Транзистор биполярный большой мощности NPN+D 1500V, 6A, 50W	ST MICROELECTRONICS
		BUH315D		Транзистор биполярный большой мощности NPN+D 1500V, 6A, 50W			54.36
		BUH315D		Транзистор биполярный большой мощности NPN+D 1500V, 6A, 50W	КИТАЙ
		BUH315D		Транзистор биполярный большой мощности NPN+D 1500V, 6A, 50W	ST1
		BUH315D		Транзистор биполярный большой мощности NPN+D 1500V, 6A, 50W	STMICROELECTR
		L7815ABV		Стабилизатор напряжения +24V 1A	ST MICROELECTRONICS	3 327	26.06
		L7815ABV		Стабилизатор напряжения +24V 1A		6 160	14.49
		L7815ABV		Стабилизатор напряжения +24V 1A	STMicroelectronics
		L7815ABV		Стабилизатор напряжения +24V 1A	МАРОККО
		L7815ABV		Стабилизатор напряжения +24V 1A	4-7 НЕДЕЛЬ	692
		MOC3083M		Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=5mA, Vdrm=800V(peak), ...	FAIR
		MOC3083M		Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=5mA, Vdrm=800V(peak), ...	FSC
		MOC3083M		Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=5mA, Vdrm=800V(peak), ...	Fairchild Optoelectronics Group
		MOC3083M		Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=5mA, Vdrm=800V(peak), ...	FAIRCHILD SEMICONDUCTORS
		MOC3083M		Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=5mA, Vdrm=800V(peak), ...	ГОНКОНГ
		MOC3083M		Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=5mA, Vdrm=800V(peak), ...	FAIRCHILD
		MOC3083M		Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=5mA, Vdrm=800V(peak), ...	ONS	4 853	50.75
		MOC3083M		Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=5mA, Vdrm=800V(peak), ...	ONS-FAIR
		MOC3083M		Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=5mA, Vdrm=800V(peak), ...		1 936	41.37
		MOC3083M		Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=5mA, Vdrm=800V(peak), ...	ON SEMICONDUCTOR	12	36.11
		MOC3083M		Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=5mA, Vdrm=800V(peak), ...	0.00
		MOC3083M		Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=5mA, Vdrm=800V(peak), ...	YOUTAI	8 160	16.48
		MOC3083M		Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=5mA, Vdrm=800V(peak), ...	UMW
		MOC3083M		Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=5mA, Vdrm=800V(peak), ...	UMW-YOUTAI
		КТ815Б		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный		338	33.12
		КТ815Б		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	КРЕМНИЙ	532	26.46
		КТ815Б		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	БРЯНСК	2 271	37.80
		КТ815Б		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	МИНСК
		КТ815Б		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ИНТЕГРАЛ	6	42.36
		КТ815Б		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	RUS
		КТ815Б		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ТРАНЗИСТОР
		ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 4.8 КРАСН. 0.5М					36.08
		ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 4.8 КРАСН. 0.5М			ПОЛЬША
		ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 4.8 КРАСН. 0.5М			ГЕРМАНИЯ

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"