|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BUH315D |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN+D 1500V, 6A, 50W
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BUH315D |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN+D 1500V, 6A, 50W
|
|
|
54.36
|
|
|
|
BUH315D |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN+D 1500V, 6A, 50W
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BUH315D |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN+D 1500V, 6A, 50W
|
ST1
|
|
|
|
|
|
BUH315D |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN+D 1500V, 6A, 50W
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
L7815ABV |
|
Стабилизатор напряжения +24V 1A
|
ST MICROELECTRONICS
|
3 327
|
26.06
|
|
|
|
L7815ABV |
|
Стабилизатор напряжения +24V 1A
|
|
6 160
|
14.49
|
|
|
|
L7815ABV |
|
Стабилизатор напряжения +24V 1A
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
L7815ABV |
|
Стабилизатор напряжения +24V 1A
|
МАРОККО
|
|
|
|
|
|
L7815ABV |
|
Стабилизатор напряжения +24V 1A
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
692
|
|
|
|
|
MOC3083M |
|
Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=5mA, Vdrm=800V(peak), ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
MOC3083M |
|
Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=5mA, Vdrm=800V(peak), ...
|
FSC
|
|
|
|
|
|
MOC3083M |
|
Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=5mA, Vdrm=800V(peak), ...
|
Fairchild Optoelectronics Group
|
|
|
|
|
|
MOC3083M |
|
Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=5mA, Vdrm=800V(peak), ...
|
FAIRCHILD SEMICONDUCTORS
|
|
|
|
|
|
MOC3083M |
|
Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=5mA, Vdrm=800V(peak), ...
|
ГОНКОНГ
|
|
|
|
|
|
MOC3083M |
|
Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=5mA, Vdrm=800V(peak), ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
MOC3083M |
|
Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=5mA, Vdrm=800V(peak), ...
|
ONS
|
4 853
|
50.75
|
|
|
|
MOC3083M |
|
Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=5mA, Vdrm=800V(peak), ...
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
MOC3083M |
|
Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=5mA, Vdrm=800V(peak), ...
|
|
1 936
|
41.37
|
|
|
|
MOC3083M |
|
Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=5mA, Vdrm=800V(peak), ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
12
|
36.11
|
|
|
|
MOC3083M |
|
Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=5mA, Vdrm=800V(peak), ...
|
0.00
|
|
|
|
|
|
MOC3083M |
|
Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=5mA, Vdrm=800V(peak), ...
|
YOUTAI
|
8 160
|
16.48
|
|
|
|
MOC3083M |
|
Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=5mA, Vdrm=800V(peak), ...
|
UMW
|
|
|
|
|
|
MOC3083M |
|
Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=5mA, Vdrm=800V(peak), ...
|
UMW-YOUTAI
|
|
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
|
338
|
33.12
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
532
|
26.46
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
БРЯНСК
|
2 271
|
37.80
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
6
|
42.36
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 4.8 КРАСН. 0.5М |
|
|
|
|
36.08
|
|
|
|
ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 4.8 КРАСН. 0.5М |
|
|
ПОЛЬША
|
|
|
|
|
|
ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 4.8 КРАСН. 0.5М |
|
|
ГЕРМАНИЯ
|
|
|
|