STTH2002DI


Купить STTH2002DI ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
STTH2002DI
Версия для печати

Технические характеристики STTH2002DI

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)200V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.1V @ 20A
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Current - Average Rectified (Io)20A
Current - Reverse Leakage @ Vr10µA @ 200V
Diode TypeStandard
СкоростьFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)40ns
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)TO-220-2 Insulated, TO-220AC
КорпусTO-220AC
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
BAS216 Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс   FAIR Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAS216 Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс   PHILIPS Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAS216 Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс   NXP Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAS216 Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс     Заказ радиодеталей 8.28 
BAS216 Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс   NXP Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAS216 Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс   PHILIPS 41 цена радиодетали
BAS216 Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс   KLS Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAS216 Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс   KEENSIDE 194 1.11 
BAS216 Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс   ASEMI Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAS216 Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс   KEEN SIDE 15 664 1.72 
>100 шт.   0.86 
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)     2 924 13.13 
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   ST MICROELECTRONICS 476 14.46 
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   ON SEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   ON SEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   ST MICROELECTRONICS SEMI Заказ радиодеталей цена радиодетали
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   STMICROELECTRONICS Заказ радиодеталей цена радиодетали
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   ST MICROELECTR Заказ радиодеталей цена радиодетали
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   ИНДИЯ Заказ радиодеталей цена радиодетали
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   PILIPINES Заказ радиодеталей цена радиодетали
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   ST1 Заказ радиодеталей цена радиодетали
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   ST MICROELECTRO Заказ радиодеталей цена радиодетали
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   STMICROELECTR Заказ радиодеталей цена радиодетали
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   CHANGJIANG Заказ радиодеталей цена радиодетали
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   KLS Заказ радиодеталей цена радиодетали
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   HOTTECH 72 3.86 
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   CHINA Заказ радиодеталей цена радиодетали
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   JSCJ 23 694 6.17 
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   1 Заказ радиодеталей цена радиодетали
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   ИМОРТ Заказ радиодеталей цена радиодетали
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   NXP Заказ радиодеталей цена радиодетали
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   RUME 438 3.69 
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   TRR 7 200 3.79 
  IRS2113S     INTERNATIONAL RECTIFIER Заказ радиодеталей цена радиодетали
  IRS2113S       8 453.60 
  IRS2113S     INFINEON Заказ радиодеталей цена радиодетали
  IRS2113S     1 Заказ радиодеталей цена радиодетали
  IRS2113S     4-7 НЕДЕЛЬ 288 цена радиодетали
    IRS2153D PBF (замена IR2153D) , Half Bridge driver 600V 180/260mA   INTERNATIONAL RECTIFIER Заказ радиодеталей цена радиодетали
    IRS2153D PBF (замена IR2153D) , Half Bridge driver 600V 180/260mA     Заказ радиодеталей 224.00 
    IRS2153D PBF (замена IR2153D) , Half Bridge driver 600V 180/260mA   INFINEON Заказ радиодеталей цена радиодетали
    IRS2153D PBF (замена IR2153D) , Half Bridge driver 600V 180/260mA   4-7 НЕДЕЛЬ 605 цена радиодетали
SF12 Быстрый диод (1А/30А,100В)   SEMTECH Заказ радиодеталей цена радиодетали
SF12 Быстрый диод (1А/30А,100В)   DC COMPONENTS 800 10.15 
SF12 Быстрый диод (1А/30А,100В)     10 1.88 
SF12 Быстрый диод (1А/30А,100В)   ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) Заказ радиодеталей цена радиодетали
SF12 Быстрый диод (1А/30А,100В)   YJ 16 534 1.16 
SF12 Быстрый диод (1А/30А,100В)   КИТАЙ Заказ радиодеталей цена радиодетали
SF12 Быстрый диод (1А/30А,100В)   KINGTRONICS 2 000 5.17 
SF12 Быстрый диод (1А/30А,100В)   YANGJIE Заказ радиодеталей цена радиодетали
SF12 Быстрый диод (1А/30А,100В)   YANGJIE (YJ) Заказ радиодеталей цена радиодетали
SF12 Быстрый диод (1А/30А,100В)   YANGZHOU YANGJIE Заказ радиодеталей цена радиодетали
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход