Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 20A |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Current - Average Rectified (Io) | 20A |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 10µA @ 200V |
Diode Type | Standard |
Скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 40ns |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-220-2 Insulated, TO-220AC |
Корпус | TO-220AC |
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BAS216 |
|
Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAS216 |
|
Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAS216 |
|
Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAS216 |
|
Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс
|
|
|
8.28
|
|
|
|
BAS216 |
|
Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAS216 |
|
Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс
|
PHILIPS
|
41
|
|
|
|
|
BAS216 |
|
Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BAS216 |
|
Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс
|
KEENSIDE
|
|
|
|
|
|
BAS216 |
|
Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс
|
ASEMI
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
|
|
17.72
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ST MICROELECTRONICS
|
10 605
|
21.34
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ИНДИЯ
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
PILIPINES
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ST1
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
CHANGJIANG
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
HOTTECH
|
929
|
10.40
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
JSCJ
|
10 740
|
8.29
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
1
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ИМОРТ
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
NXP
|
560
|
3.42
|
|
|
|
IRS2113S |
|
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRS2113S |
|
|
|
8
|
453.60
|
|
|
|
IRS2113S |
|
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRS2113S |
|
|
1
|
|
|
|
|
|
IRS2113S |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
288
|
|
|
|
|
IRS2153D |
|
PBF (замена IR2153D) , Half Bridge driver 600V 180/260mA
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRS2153D |
|
PBF (замена IR2153D) , Half Bridge driver 600V 180/260mA
|
|
|
224.00
|
|
|
|
IRS2153D |
|
PBF (замена IR2153D) , Half Bridge driver 600V 180/260mA
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRS2153D |
|
PBF (замена IR2153D) , Half Bridge driver 600V 180/260mA
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
605
|
|
|
|
|
SF12 |
|
Быстрый диод (1А/30А,100В)
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
SF12 |
|
Быстрый диод (1А/30А,100В)
|
DC COMPONENTS
|
800
|
9.07
|
|
|
|
SF12 |
|
Быстрый диод (1А/30А,100В)
|
|
10
|
1.82
|
|
|
|
SF12 |
|
Быстрый диод (1А/30А,100В)
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
SF12 |
|
Быстрый диод (1А/30А,100В)
|
YJ
|
18 966
|
1.32
|
|
|
|
SF12 |
|
Быстрый диод (1А/30А,100В)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
SF12 |
|
Быстрый диод (1А/30А,100В)
|
KINGTRONICS
|
2 160
|
5.17
|
|
|
|
SF12 |
|
Быстрый диод (1А/30А,100В)
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
SF12 |
|
Быстрый диод (1А/30А,100В)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
SF12 |
|
Быстрый диод (1А/30А,100В)
|
YANGZHOU YANGJIE
|
1 947
|
2.47
|
|