STW12NK90Z

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
STW12NK90Z		440.00

Версия для печати

Технические характеристики STW12NK90Z

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	SuperMESH™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	880 mOhm @ 5.5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	900V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	11A
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	152nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	3500pF @ 25V
Power - Max	230W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-247-3
Корпус	TO-247-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

STW12NK90Z (MOSFET)

N-channel 900V - 0.72? - 11A - TO-247 Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET

Производитель:
STMicroelectronics

STW12NK90Z datasheet
271.1 Кб

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
ECAP 330/35V 1013 105C	Электролитический алюминиевый конденсатор 330 мкФ, 35 В, 105С	JAMICON
ECAP 330/35V 1013 105C	Электролитический алюминиевый конденсатор 330 мкФ, 35 В, 105С
ECAP 330/35V 1013 105C	Электролитический алюминиевый конденсатор 330 мкФ, 35 В, 105С	JAM
ECAP 330/35V 1013 105C	Электролитический алюминиевый конденсатор 330 мкФ, 35 В, 105С	YAGEO
LA4265	УНЧ 3.5W (16V/8 Ом)	SANYO
LA4265	УНЧ 3.5W (16V/8 Ом)	SAN
LA4265	УНЧ 3.5W (16V/8 Ом)		1	94.50
LA4265	УНЧ 3.5W (16V/8 Ом)	1
LA4265	УНЧ 3.5W (16V/8 Ом)	4-7 НЕДЕЛЬ	306
MJE13009G	Транзистор биполярный	ON SEMICONDUCTOR
MJE13009G	Транзистор биполярный	ONS
MJE13009G	Транзистор биполярный			129.20
MJE13009G	Транзистор биполярный	ON SEMICONDUCTO
К561ИЕ4				24.00
ПЭВ-10-22 10%				63.64