STW12NK90Z
Транзистор N-Канальный+Z-Dio 900V 11A 230W 0,72R
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | SuperMESH™ |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 880 mOhm @ 5.5A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 11A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 100µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 152nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 3500pF @ 25V |
| Power - Max | 230W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-247-3 |
| Корпус | TO-247-3 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
STW12NK90Z (MOSFET) N-channel 900V - 0.72? - 11A - TO-247 Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ECAPSMD 10/16V 0405 105C RC |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 10 мкФ 16 В | SAMWHA |
|
|
|||
 |
 |
L78L09ACZ |
|
(КР1157ЕН902) TO92 | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|
|
|
|
L78L09ACZ |
|
(КР1157ЕН902) TO92 | 16 | 22.68 | ||
|
|
|
L78L09ACZ |
|
(КР1157ЕН902) TO92 | ST MICROELECTRONICS SEMI |
|
|
|
|
|
|
L78L09ACZ |
|
(КР1157ЕН902) TO92 | UTC |
|
|
|
|
|
|
L78L09ACZ |
|
(КР1157ЕН902) TO92 | STMicroelectronics |
|
|
|
|
|
|
L78L09ACZ |
|
(КР1157ЕН902) TO92 | ST MICROELECTR |
|
|
|
|
|
|
L78L09ACZ |
|
(КР1157ЕН902) TO92 | КИТАЙ |
|
|
|
|
|
|
L78L09ACZ |
|
(КР1157ЕН902) TO92 | SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD | 5 | 10.26 | |
|
|
|
L78L09ACZ |
|
(КР1157ЕН902) TO92 | ST MICROELECTRO |
|
|
|
|
|
|
L78L09ACZ |
|
(КР1157ЕН902) TO92 | STMICROELECTR |
|
|
|
|
|
|
L78L09ACZ |
|
(КР1157ЕН902) TO92 | 0.00 |
|
|
|
|
|
|
L78L09ACZ |
|
(КР1157ЕН902) TO92 | 4-7 НЕДЕЛЬ |
|
|
|
| LQH43M-181-1000 МКГН 10% |
|
|
||||||
| SQP 10W 0.2 5% |
|
|
||||||
| SQP 10W 0.2 5% | YAGEO |
|
|
|||||
| КСО-5Г-500В-1500ПФ |
|
|
