КСО-5Г-500В-1500ПФ

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BL01RN1A2A2B	Индуктивность для подавления ВЧ-помех.	MURATA
BL01RN1A2A2B	Индуктивность для подавления ВЧ-помех.			16.60
BL01RN1A2A2B	Индуктивность для подавления ВЧ-помех.	MURATA
BL01RN1A2A2B	Индуктивность для подавления ВЧ-помех.	MUR
BL01RN1A2A2B	Индуктивность для подавления ВЧ-помех.	Murata Electronics North America
CM322522-101KL	ЧИП индуктивность 100мкГн 1210	BOURNS	3 120	24.80
CM322522-101KL	ЧИП индуктивность 100мкГн 1210			19.84
CM322522-101KL	ЧИП индуктивность 100мкГн 1210	ВОURNS
CM322522-101KL	ЧИП индуктивность 100мкГн 1210	1
STW10NK80Z	N-channel 800v - 0.78? - 9a - to-247 zener-protected supermeshtm mosfet	ST MICROELECTRONICS
STW10NK80Z	N-channel 800v - 0.78? - 9a - to-247 zener-protected supermeshtm mosfet
STW10NK80Z	N-channel 800v - 0.78? - 9a - to-247 zener-protected supermeshtm mosfet	STMicroelectronics
STW10NK80Z	N-channel 800v - 0.78? - 9a - to-247 zener-protected supermeshtm mosfet	ST MICROELECTRONICS SEMI
КСОТ-1Г-250В-430 ПФ 5%
КСОТ-2Г-500В-180 ПФ 10%