Версия для печати

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		3266W-1-103		Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``	BOURNS
		3266W-1-103		Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``	BARONS
		3266W-1-103		Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``	BI TECHNOLOGIES
		3266W-1-103		Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``			56.00
		3266W-1-103		Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``	BOURNS
		3266W-1-103		Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``	Bourns Inc
		3266W-1-103		Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``	КИТАЙ
		3266W-1-103		Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``	BOCHEN
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А		40 800	3.60
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	КИТАЙ
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	HOTTECH	89 042	2.67
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	INFINEON
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	HUASHUO	16 508	5.00
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	KLS
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	YOUTAI	88 186	2.71
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	UMW	6 080	3.10
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	SUNTAN	29 946	5.13
		LQH43CN101K03L		Дроссель SMD 1812 (L=100 uH +/-10%, I=190mA, R=2.2 Ohm (max), SRF=6.8MHz(min), ...	MURATA	5 657	23.38
		LQH43CN101K03L		Дроссель SMD 1812 (L=100 uH +/-10%, I=190mA, R=2.2 Ohm (max), SRF=6.8MHz(min), ...			32.00
		LQH43CN101K03L		Дроссель SMD 1812 (L=100 uH +/-10%, I=190mA, R=2.2 Ohm (max), SRF=6.8MHz(min), ...	MUR	13 428	12.31
		LQH43CN101K03L		Дроссель SMD 1812 (L=100 uH +/-10%, I=190mA, R=2.2 Ohm (max), SRF=6.8MHz(min), ...	MURATA
		LQH43MN101K03L		SMD индуктивность 100мкГн +/-10%, Imax=0,08 A 1812	MURATA	1 932	21.56
		LQH43MN101K03L		SMD индуктивность 100мкГн +/-10%, Imax=0,08 A 1812	CHINA
		LQH43MN101K03L		SMD индуктивность 100мкГн +/-10%, Imax=0,08 A 1812	MUR	34 355	14.37
		LQH43MN101K03L		SMD индуктивность 100мкГн +/-10%, Imax=0,08 A 1812			24.60
		LQH43MN101K03L		SMD индуктивность 100мкГн +/-10%, Imax=0,08 A 1812	MURATA
		КСО-2Г-500В-2200 ПФ 10%

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"