AO4620

MOSFET N/P-CH COMPL 30V 8-SOIC

Версия для печати

Технические характеристики AO4620

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	N and P-Channel
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	24 mOhm @ 7.2A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	7.2A, 5.3A
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	14.125nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	792pF @ 15V
Power - Max	2W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SOIC

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

AO4620 datasheet

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2SD1275	Биполярный транзистор NPN 60V, 2A, 35W, 20MHz, B 1000	MATSUSHITA
2SD1275	Биполярный транзистор NPN 60V, 2A, 35W, 20MHz, B 1000	MAT
2SD1275	Биполярный транзистор NPN 60V, 2A, 35W, 20MHz, B 1000		1	85.68
2SD1275	Биполярный транзистор NPN 60V, 2A, 35W, 20MHz, B 1000	PAN
2SD1275	Биполярный транзистор NPN 60V, 2A, 35W, 20MHz, B 1000	КИТАЙ
2SD1682		SANYO
2SD1682		SAN
2SD1682
2SD2499	Биполярный транзистор NPN+D 1500V, 6A, 50W			103.20
2SD2499	Биполярный транзистор NPN+D 1500V, 6A, 50W	TOSHIBA
2SD2499	Биполярный транзистор NPN+D 1500V, 6A, 50W	TOS
2SD2499	Биполярный транзистор NPN+D 1500V, 6A, 50W	КИТАЙ
2SD2499	Биполярный транзистор NPN+D 1500V, 6A, 50W	ISCSEMI
BD677	Транзистор NPN-Darl 60V 4A 40W	ST MICROELECTRONICS
BD677	Транзистор NPN-Darl 60V 4A 40W	ON SEMICONDUCTOR
BD677	Транзистор NPN-Darl 60V 4A 40W	SGS
BD677	Транзистор NPN-Darl 60V 4A 40W			48.44
BD677	Транзистор NPN-Darl 60V 4A 40W	SGS THOMSON
BD677	Транзистор NPN-Darl 60V 4A 40W	ST MICROELECTRONICS SEMI
BD677	Транзистор NPN-Darl 60V 4A 40W	STMicroelectronics
BD677	Транзистор NPN-Darl 60V 4A 40W	ST MICROELECTRO
HER158 (1.5A 1000V)