| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
|
40 600
|
2.92
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
HOTTECH
|
265 927
|
2.43
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
HUASHUO
|
13 074
|
7.69
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
KLS
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
YOUTAI
|
8
|
4.17
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
UMW
|
40
|
3.10
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
SUNTAN
|
21 332
|
5.07
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
KEEN SIDE
|
8 892
|
2.12
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
2386
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
KEXIN
|
7 200
|
2.65
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
RUME
|
91 200
|
2.97
|
|
|
|
|
LM1117MPX-3.3 |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LM1117MPX-3.3 |
|
|
|
|
100.00
|
|
|
|
|
LM1117MPX-3.3 |
|
|
NSC
|
|
|
|
|
|
|
LM1117MPX-3.3 |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LM1117MPX-3.3 |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
LM1117MPX-3.3 |
|
|
NS
|
1 370
|
35.80
|
|
|
|
|
LM1117MPX-3.3 |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
699
|
|
|
|
|
|
LM1117MPX-3.3 |
|
|
1713
|
|
|
|
|
|
|
MIC5205-3.3YM5 TR |
|
LDO 1 кан, Uвх=2,5:16 В, Uвых=3,3 В, Iвых=150 мА, Udrop=165 мВ,-40:+125 °С точность ...
|
MICREL
|
|
|
|
|
|
|
MIC5205-3.3YM5 TR |
|
LDO 1 кан, Uвх=2,5:16 В, Uвых=3,3 В, Iвых=150 мА, Udrop=165 мВ,-40:+125 °С точность ...
|
Micrel Inc
|
|
|
|
|
|
|
MIC5205-3.3YM5 TR |
|
LDO 1 кан, Uвх=2,5:16 В, Uвых=3,3 В, Iвых=150 мА, Udrop=165 мВ,-40:+125 °С точность ...
|
MCH/MCRL
|
|
|
|
|
|
|
TCA0372DP1G |
|
ИМС
|
ON SEMICONDUCTOR
|
704
|
134.25
|
|
|
|
|
TCA0372DP1G |
|
ИМС
|
|
|
109.20
|
|
|
|
|
TCA0372DP1G |
|
ИМС
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
TCA0372DP1G |
|
ИМС
|
ON SEMIC
|
|
|
|
|
|
|
TCA0372DP1G |
|
ИМС
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
|
TCA0372DP1G |
|
ИМС
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
TCA0372DP1G |
|
ИМС
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
260
|
|
|
|
|
КТ315Г ЖЕЛТ. |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный усилительный 35В
|
|
|
|
|
|
|
КТ315Г ЖЕЛТ. |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный усилительный 35В
|
НАЛЬЧИК
|
|
|
|
|
|
КТ315Г ЖЕЛТ. |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный усилительный 35В
|
КВАРЦИТ
|
|
|
|
|
|
КТ315Г ЖЕЛТ. |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный усилительный 35В
|
ТОМСК
|
|
|
|