Версия для печати
Технические характеристики ATMEGA8515L-8PU

Корпус (размер)	40-DIP (0.600", 15.24mm)
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C
Тип осцилятора	Internal
Напряжение источника (Vcc/Vdd)	2.7 V ~ 5.5 V
Размер памяти	512 x 8
EEPROM Size	512 x 8
Тип программируемой памяти	FLASH
Размер программируемой памяти	8KB (4K x 16)
Число вводов/выводов	35
Периферия	Brown-out Detect/Reset, POR, PWM, WDT
Подключения	EBI/EMI, SPI, UART/USART
Скорость	8MHz
Процессор	AVR
Размер ядра	8-Bit
Серия	AVR® ATmega
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

ATmega8515L (Микроконтроллеры 8 бит) 8-bit Microcontroller with 8K Bytes In-System Programmable Flash Также в этом файле: ATmega8515L-8PU Производитель: ATMEL Corporation //www.atmel.com ATMEGA8515L-8PU datasheet 2.01Mb 254стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Микроконтроллеры

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		IRG4PH50UDPBF		IGBT 1200В 45А 75кГц	INTERNATIONAL RECTIFIER	4	1 125.45
		IRG4PH50UDPBF		IGBT 1200В 45А 75кГц
		IRG4PH50UDPBF		IGBT 1200В 45А 75кГц	INFINEON
		L7809CV			ST MICROELECTRONICS	8 024	40.29
		L7809CV				412	44.40
		L7809CV			STMicroelectronics
		L7809CV			МАРОККО
		L7809CV			ST MICROELECTR
		L7809CV			КИТАЙ
		L7809CV			STMICROELECTR
		L7809CV			UMW	1 120	12.40
		L7809CV			YOUTAI	8 646	15.19
		L7809CV			4-7 НЕДЕЛЬ	103
		L7809CV			530
		SGW25N120		Транзистор IGBT (Vce=1200V, Ic=46A@t=25C, Ic=25A@t=100C, P=313W, -55 to +150C)	INFINEON
		SGW25N120		Транзистор IGBT (Vce=1200V, Ic=46A@t=25C, Ic=25A@t=100C, P=313W, -55 to +150C)			546.92
		SGW25N120		Транзистор IGBT (Vce=1200V, Ic=46A@t=25C, Ic=25A@t=100C, P=313W, -55 to +150C)	Infineon Technologies
		SGW25N120		Транзистор IGBT (Vce=1200V, Ic=46A@t=25C, Ic=25A@t=100C, P=313W, -55 to +150C)	INFINEON TECH
		КТ646А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	КРЕМНИЙ	124	39.04
		КТ646А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В		488	33.12
		КТ646А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	БРЯНСК
		КТ646А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	МИНСК
		КТ646А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	RUS
		КТ646А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	ИНТЕГРАЛ
		КТ646А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	ТРАНЗИСТОР
		КТ818Г		Транзистор кремниевый большой мощности среднечастотный структуры PNP усилительный		473	73.60
		КТ818Г		Транзистор кремниевый большой мощности среднечастотный структуры PNP усилительный	КРЕМНИЙ	944	144.65
		КТ818Г		Транзистор кремниевый большой мощности среднечастотный структуры PNP усилительный	БРЯНСК	3 555	84.80
		КТ818Г		Транзистор кремниевый большой мощности среднечастотный структуры PNP усилительный	МИНСК
		КТ818Г		Транзистор кремниевый большой мощности среднечастотный структуры PNP усилительный	ТРАНЗИСТОР
		КТ818Г		Транзистор кремниевый большой мощности среднечастотный структуры PNP усилительный	УЛЬЯНОВСК
		КТ818Г		Транзистор кремниевый большой мощности среднечастотный структуры PNP усилительный	RUS
		КТ818Г		Транзистор кремниевый большой мощности среднечастотный структуры PNP усилительный	ИНТЕГРАЛ
		КТ818Г		Транзистор кремниевый большой мощности среднечастотный структуры PNP усилительный	245
		КТ818Г		Транзистор кремниевый большой мощности среднечастотный структуры PNP усилительный	4618

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"