SDT12S60

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
SDT12S60		1 792.72

Версия для печати

Технические характеристики SDT12S60

Скорость	No Recovery Time > 500mA (Io)
Diode Type	Silicon Carbide Schottky
Current - Reverse Leakage @ Vr	400µA @ 600V
Current - Average Rectified (Io)	12A (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	600V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.7V @ 12A
Серия	thinQ!™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Reverse Recovery Time (trr)	0ns
Capacitance @ Vr, F	450pF @ 1V, 1MHz
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-2
Корпус	PG-TO220-2

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

SDT12S60 (Карбид-кремниевые диоды Шотки)

Silicon Carbide Schottky Diode

Производитель:
Infineon Technologies AG
//www.infineon.com

SDT12S60 datasheet
381.83Kb
8стр.

Синонимы от поставщиков: SDT12S60 ; SDT-12S60 ; SDT 12S60 ; SDT — 12S60 ; SDT12S60 ; диод SDT12S60 ;

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
C630 (ABE), 15 A, 250 В, 6.35Х30 ММ		CONQUER
FDB52N20TM		Fairchild Semiconductor
FDB52N20TM		FAIRCHILD	42
FDB52N20TM		ONS
FDB52N20TM
LM78M05CDT/NOPB		NSC
LM78M05CDT/NOPB		National Semiconductor
LM78M05CDT/NOPB		NATIONAL SEMICONDUCTOR
LM78M05CDT/NOPB		TEXAS INSTRUMENTS	16	68.63
LM78M05CDT/NOPB		TEXAS INSTRUMEN
LM78M05CDT/NOPB		TEXAS
LM78M05CDT/NOPB
STW45NM60	N-channel 650v@tjmax - 0.09? - 45a - to-247 mdmesh™ power mosfet	ST MICROELECTRONICS
STW45NM60	N-channel 650v@tjmax - 0.09? - 45a - to-247 mdmesh™ power mosfet	STMicroelectronics
STW45NM60	N-channel 650v@tjmax - 0.09? - 45a - to-247 mdmesh™ power mosfet	ST MICROELECTRONICS SEMI
STW45NM60	N-channel 650v@tjmax - 0.09? - 45a - to-247 mdmesh™ power mosfet			1 218.52
TL783CKC		TEXAS INSTRUMENTS
TL783CKC		TEXAS
TL783CKC				290.32
TL783CKC		КИТАЙ
TL783CKC		TEXAS INSTRUMENTS	19
TL783CKC		4-7 НЕДЕЛЬ	522