Версия для печати
Технические характеристики TL783CKC

Корпус	TO-220-3
Корпус (размер)	TO-220-3
Тип монтажа	Выводной
Рабочая температура	0°C ~ 125°C
Ток минимальный предел тока	700mA
Ток выходной	700mA (Max)
Число регуляторов	1
Напряжение входное	21.5 V ~ 150 V
Напряжение выходное	1.25 V ~ 125 V
Топология регулятора	Positive Adjustable
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

TL783 (Позитивные линейные стабилизаторы напряжения) HIGH-VOLTAGE ADJUSTABLE REGULATOR Также в этом файле: TL783CKC Производитель: Texas Instruments //www.ti.com TL783CKC datasheet 206.79Kb 13стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Питание

 » 

Регуляторы напряжения

 » 

Регуляторы напряжения линейные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BF245A		Транзистор полевой управляемый p-n переходом 30V, 25mA, 0,3W, 2-6,5mA	FAI/QTC
		BF245A		Транзистор полевой управляемый p-n переходом 30V, 25mA, 0,3W, 2-6,5mA	FAIR
		BF245A		Транзистор полевой управляемый p-n переходом 30V, 25mA, 0,3W, 2-6,5mA	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		BF245A		Транзистор полевой управляемый p-n переходом 30V, 25mA, 0,3W, 2-6,5mA	ON SEMICONDUCTOR
		BF245A		Транзистор полевой управляемый p-n переходом 30V, 25mA, 0,3W, 2-6,5mA	PHILIPS
		BF245A		Транзистор полевой управляемый p-n переходом 30V, 25mA, 0,3W, 2-6,5mA	FSC
		BF245A		Транзистор полевой управляемый p-n переходом 30V, 25mA, 0,3W, 2-6,5mA	FAIRCHILD
		BF245A		Транзистор полевой управляемый p-n переходом 30V, 25mA, 0,3W, 2-6,5mA	FAIRCHILD
		BF245A		Транзистор полевой управляемый p-n переходом 30V, 25mA, 0,3W, 2-6,5mA	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		BF245A		Транзистор полевой управляемый p-n переходом 30V, 25mA, 0,3W, 2-6,5mA	OTHER
		BF245A		Транзистор полевой управляемый p-n переходом 30V, 25mA, 0,3W, 2-6,5mA	PHILIPS
		BF245A		Транзистор полевой управляемый p-n переходом 30V, 25mA, 0,3W, 2-6,5mA	Fairchild Semiconductor
		BF245A		Транзистор полевой управляемый p-n переходом 30V, 25mA, 0,3W, 2-6,5mA	NXP
		BF245A		Транзистор полевой управляемый p-n переходом 30V, 25mA, 0,3W, 2-6,5mA			15.04
		BNC-7056				4	37.20
		LM337BT		Регулируемый отриц. СН (Vout=-1.2-37V, tol=4%, I=1.5A, Vinmax=-40V, -40 to +125C)	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM337BT		Регулируемый отриц. СН (Vout=-1.2-37V, tol=4%, I=1.5A, Vinmax=-40V, -40 to +125C)	ON SEMICONDUCTOR
		LM337BT		Регулируемый отриц. СН (Vout=-1.2-37V, tol=4%, I=1.5A, Vinmax=-40V, -40 to +125C)	MOTOROLA
		LM337BT		Регулируемый отриц. СН (Vout=-1.2-37V, tol=4%, I=1.5A, Vinmax=-40V, -40 to +125C)			58.08
		LM337BT		Регулируемый отриц. СН (Vout=-1.2-37V, tol=4%, I=1.5A, Vinmax=-40V, -40 to +125C)	ONS
		LM337BT		Регулируемый отриц. СН (Vout=-1.2-37V, tol=4%, I=1.5A, Vinmax=-40V, -40 to +125C)	4-7 НЕДЕЛЬ	664
		КТ825Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	КРЕМНИЙ	220	1 171.20
		КТ825Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А		22	595.20
		КТ825Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	БРЯНСК	129	1 244.05
		КТ825Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	СИТ
		КТ825Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	RUS
		КТ825Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	1
		КТ825Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	104
		КТ825Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	24
		КТ825Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	88
		ТП2205			RUS

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"