Версия для печати

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (биполярные) - одиночные

Аналоги:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2SC2335		Транзистор S-N, 500В, 7A, TO220	FAIR
		2SC2335		Транзистор S-N, 500В, 7A, TO220			60.00
		2SC2335		Транзистор S-N, 500В, 7A, TO220	TOS
		2SC2335		Транзистор S-N, 500В, 7A, TO220	КИТАЙ
		2SC2335		Транзистор S-N, 500В, 7A, TO220	ISCSEMI
		2SC2335		Транзистор S-N, 500В, 7A, TO220	ISC
		2SC2898		Биполярный транзистор	HITACHI
		2SC2898		Биполярный транзистор			63.28
		2SC2898		Биполярный транзистор	HIT
		MJE13007		Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц	ON SEMICONDUCTOR
		MJE13007		Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц			63.88
		MJE13007		Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц	ONS
		MJE13007		Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц	ST MICROELECTR
		MJE13007		Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц	ST MICROELECTRONICS
		MJE13007		Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц	STMICROELECTR
		MJE13007		Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц	HOTTECH
		MJE13007		Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц	KEC
		MJE13007		Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц	ZH
		MJE13007		Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц	FAIRCHILD	12	22.51
		MJE13007		Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц	KLS
		MJE13007		Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц	ZHONGDI
		MJE13007		Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц	БРЯНСК	790	132.30
		MJE13007		Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц	ISC	326	59.01
		MJE13009		Транзистор биполярный большой мощности NPN 400V, 12A, 100W, 4MHz	ON SEMICONDUCTOR
		MJE13009		Транзистор биполярный большой мощности NPN 400V, 12A, 100W, 4MHz	ST MICROELECTRONICS
		MJE13009		Транзистор биполярный большой мощности NPN 400V, 12A, 100W, 4MHz	ONS
		MJE13009		Транзистор биполярный большой мощности NPN 400V, 12A, 100W, 4MHz		8	138.75
		MJE13009		Транзистор биполярный большой мощности NPN 400V, 12A, 100W, 4MHz	ФИЛИППИНЫ
		MJE13009		Транзистор биполярный большой мощности NPN 400V, 12A, 100W, 4MHz	ISC	3 322	59.58
		MJE13009		Транзистор биполярный большой мощности NPN 400V, 12A, 100W, 4MHz	VARIOUS

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	FAIR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	MOTOROLA
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NXP
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	PHILIPS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	SAMSUNG
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	SPRAGUE
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	CDIL
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	UTC
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	DC COMPONENTS	1 534	5.26
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	DIOTEC	11 752	4.26
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	FAIRCHILD
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	FAIRCHILD
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	MOTOROLA
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NXP
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	PHILIPS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	SAMSUNG
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ON Semiconductor
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ONS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	КИТАЙ	952	3.10
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	INCHANGE SEMIC
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	МИНСК	2 052	4.20
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...		2 400	1.96  >100 шт.   0.98
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	INCHANGE
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ON SEMI/FAIRCH
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ONSEMICONDUCTOR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	MULTICOMP
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	HOTTECH	61 848	0.65  >1000 шт.   0.13
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	KLS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	LGE
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	CHINA	22 400	1.08
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ZH
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	OLITECH
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	CJ	4 604	2.14
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	1
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FAI/QTC
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FAIR
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR	800	11.34
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	MOTOROLA
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NXP
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	PHILIPS
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	TOSHIBA
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	DC COMPONENTS	8 617	4.89
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FSC
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	UTC
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	DIOTEC	2 718	4.42
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	МИНСК
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FAIRCHILD
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	MOTOROLA
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	OTHER
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NS
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	KEC
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)		27 600	1.06
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	TOSHIBA
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	---
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NO TRADEMARK
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	MULTICOMP
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	HOTTECH	393	1.84
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	KLS
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	КИТАЙ
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	CHINA	9 576	1.26
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	ZH
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	ASEMI	1 929	1.66
		AB0290 (АВ0290.2) 50Х75Х19			ЛИГРА
		AB0290 (АВ0290.2) 50Х75Х19
		DB-9F (DS1033-09F)			ZHENQIN
		DB-9F (DS1033-09F)			CONNFLY
		DB-9F (DS1033-09F)
		TIP122		Транзистор биполярный — составной NPN Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP127)	FAIR
		TIP122		Транзистор биполярный — составной NPN Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP127)	ST MICROELECTRONICS	1 600	34.10
		TIP122		Транзистор биполярный — составной NPN Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP127)	TOBE
		TIP122		Транзистор биполярный — составной NPN Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP127)		1 024	21.42
		TIP122		Транзистор биполярный — составной NPN Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP127)	STMICROELECTRONICS
		TIP122		Транзистор биполярный — составной NPN Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP127)	ST MICROELECTRONICS SEMI
		TIP122		Транзистор биполярный — составной NPN Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP127)	Fairchild Semiconductor
		TIP122		Транзистор биполярный — составной NPN Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP127)	Microsemi Commercial Components Group
		TIP122		Транзистор биполярный — составной NPN Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP127)	ON Semiconductor
		TIP122		Транзистор биполярный — составной NPN Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP127)	ST MICROELECTR
		TIP122		Транзистор биполярный — составной NPN Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP127)	КИТАЙ
		TIP122		Транзистор биполярный — составной NPN Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP127)	FAIRCHILD
		TIP122		Транзистор биполярный — составной NPN Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP127)	ST MICROELECTRO
		TIP122		Транзистор биполярный — составной NPN Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP127)	STMICROELECTR
		TIP122		Транзистор биполярный — составной NPN Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP127)	HOTTECH
		TIP122		Транзистор биполярный — составной NPN Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP127)	CHINA
		TIP122		Транзистор биполярный — составной NPN Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP127)	ZH	6 800	16.22
		TIP122		Транзистор биполярный — составной NPN Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP127)	KLS
		TIP122		Транзистор биполярный — составной NPN Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP127)	YIXING
		TIP122		Транзистор биполярный — составной NPN Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP127)	LGE	264	25.88

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"