|
|
Версия для печати
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2 Ohm @ 3.7A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 6.2A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 42nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1036pF @ 25V |
| Power - Max | 125W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
|
IRFBC40A (Дискретные сигналы) Power MOSFET (Vdss=600V, Rds (on) max=1.2ohm, Id=6.2A)
Производитель:
|
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1000 UF 63V 105C 1626 |
|
|
||||||
| 2200 UF 16V 105C 1025 |
|
|
||||||
| 2200 UF 35V 105C |
|
|
||||||
|
|
КТ8102Б | КРЕМНИЙ |
|
|
||||
|
|
КТ8102Б |
|
69.68 | |||||
|
|
КТ8102Б | БРЯНСК |
|
|
||||
|
|
КТ8102Б | КРЕМН |
|
|
||||
|
|
|
КТ827В |
|
Составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN | КРЕМНИЙ | 26 | 1 001.70 | |
|
|
|
КТ827В |
|
Составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN | 25 | 226.80 | ||
|
|
|
КТ827В |
|
Составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN | ЭЛЕКТРОПРИБОР |
|
|
|
|
|
|
КТ827В |
|
Составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN | ФРЯЗИНО |
|
|
|
|
|
|
КТ827В |
|
Составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN | ЭЛЕКТРОНПРИБОР | 8 | 487.62 |