|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Формат памяти | EEPROMs - Serial |
| Тип памяти | EEPROM |
| Объем памяти | 2K (256 x 8) |
| Скорость | 2MHz |
| Интерфейс подключения | Microwire, 3-Wire Serial |
| Напряжение питания | 4.5 V ~ 5.5 V |
| Рабочая температура | -40°C ~ 125°C |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SOICN |
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1000 UF 63V 105C 1626 |
|
|
||||||
| 2.2 UF 250V 105C 612 |
|
|
||||||
| 2200 UF 35V 105C |
|
|
||||||
|
|
IR2152 |
|
Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.1A/0.21A | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
||
|
|
IR2152 |
|
Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.1A/0.21A |
|
136.24 | |||
|
|
IR2152 |
|
Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.1A/0.21A | 4-7 НЕДЕЛЬ | 741 |
|
||
|
|
|
КТ827В |
|
Составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN | КРЕМНИЙ | 8 | 1 085.31 | |
|
|
|
КТ827В |
|
Составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN | 17 | 340.20 | ||
|
|
|
КТ827В |
|
Составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN | ЭЛЕКТРОПРИБОР |
|
|
|
|
|
|
КТ827В |
|
Составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN | ФРЯЗИНО |
|
|
|
|
|
|
КТ827В |
|
Составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN | ЭЛЕКТРОНПРИБОР | 8 | 527.04 |