Версия для печати
Технические характеристики BYD17J

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.05V @ 1A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	600V
Current - Average Rectified (Io)	1.5A
Current - Reverse Leakage @ Vr	1µA @ 600V
Diode Type	Avalanche
Скорость	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)	3µs
Capacitance @ Vr, F	21pF @ 0V, 1MHz
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	SOD-87
Корпус	MELF

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Диоды

 » 

Диоды, выпрямители - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		GRM31B7U3A471JW31L		Керамический конденсатор 470 пФ 1 кВ	MUR
		GRM31B7U3A471JW31L		Керамический конденсатор 470 пФ 1 кВ			154.80
		GRM31B7U3A471JW31L		Керамический конденсатор 470 пФ 1 кВ	Murata Electronics North America
		GRM31B7U3A471JW31L		Керамический конденсатор 470 пФ 1 кВ	MURATA
		IR2104S		Драйвер полумомтовой. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13A/0.27A, Тбл =500мкс	INTERNATIONAL RECTIFIER	80	160.06
		IR2104S		Драйвер полумомтовой. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13A/0.27A, Тбл =500мкс		4	160.02
		IR2104S		Драйвер полумомтовой. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13A/0.27A, Тбл =500мкс	ТАИЛАНД
		IR2104S		Драйвер полумомтовой. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13A/0.27A, Тбл =500мкс	INFINEON
		IR2104S		Драйвер полумомтовой. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13A/0.27A, Тбл =500мкс	FULIHAO TECH	1 120	99.19
		IR2104S		Драйвер полумомтовой. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13A/0.27A, Тбл =500мкс	FULIHAO
		IR2104S		Драйвер полумомтовой. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13A/0.27A, Тбл =500мкс	4-7 НЕДЕЛЬ	269
		IRF640		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF640		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)	VISHAY
		IRF640		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)	MICRO SEMICONDUCTOR
		IRF640		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)	ON SEMICONDUCTOR
		IRF640		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)	ST MICROELECTRONICS
		IRF640		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)	MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
		IRF640		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)	ON SEMICONDUCTOR
		IRF640		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)	Vishay/Siliconix
		IRF640		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)	STMicroelectronics
		IRF640		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)	MICROSEMI CORP
		IRF640		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)			66.84
		IRF640		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)	MINOS	2 408	21.82
		LD1117S50CTR			ST MICROELECTRONICS	4 821	11.07
		LD1117S50CTR				790	10.97
		LD1117S50CTR			ST MICROELECTRONICS SEMI	81
		LD1117S50CTR			STMicroelectronics
		LD1117S50CTR			ST MICROELECTRO
		LD1117S50CTR			TEXAS INSTRUMENTS
		LD1117S50CTR			4-7 НЕДЕЛЬ	725
		LD1117S50CTR			10	1	13.08
		PIC18F2320-I/SO		4Kx16 Flash 25I/O 40MHz			243.60
		PIC18F2320-I/SO		4Kx16 Flash 25I/O 40MHz	MICRO CHIP
		PIC18F2320-I/SO		4Kx16 Flash 25I/O 40MHz	Microchip Technology
		PIC18F2320-I/SO		4Kx16 Flash 25I/O 40MHz	MICRO CHIP	5
		PIC18F2320-I/SO		4Kx16 Flash 25I/O 40MHz	4-7 НЕДЕЛЬ	429

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"