Версия для печати
Технические характеристики PIC18F2320-I/SO

Корпус (размер)	28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C
Тип осцилятора	Internal
Преобразователи данных	A/D 10x10b
Напряжение источника (Vcc/Vdd)	4.2 V ~ 5.5 V
Размер памяти	512 x 8
EEPROM Size	256 x 8
Тип программируемой памяти	FLASH
Размер программируемой памяти	8KB (4K x 16)
Число вводов/выводов	25
Периферия	Brown-out Detect/Reset, LVD, POR, PWM, WDT
Подключения	I²C, SPI, UART/USART
Скорость	40MHz
Размер ядра	8-Bit
Процессор	PIC
Серия	PIC® 18F
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Микроконтроллеры

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		AM1D-0505SZ		DC/DC преобразователь мощностью 1 Вт, вход 4.5:5.5В, выход 5В/200мА, изоляция 1000В ...	AIMTEC
		AM1D-0505SZ		DC/DC преобразователь мощностью 1 Вт, вход 4.5:5.5В, выход 5В/200мА, изоляция 1000В ...		1	638.25
		AM1D-0505SZ		DC/DC преобразователь мощностью 1 Вт, вход 4.5:5.5В, выход 5В/200мА, изоляция 1000В ...	КИТАЙ
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)		2 964	13.13
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRONICS	236	15.50
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRONICS SEMI
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	STMICROELECTRONICS
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ИНДИЯ
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	PILIPINES
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST1
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRO
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	STMICROELECTR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	CHANGJIANG
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	KLS
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	HOTTECH	72	3.97
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	CHINA
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	JSCJ	27 627	6.21
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	1
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ИМОРТ
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	NXP
		BYD17J			PHILIPS
		BYD17J			PHILIPS	67
		BYD17J			PHILIPS SEMIC
		BYD17J			NXP
		BYD17J
		BYD17J
		BZV55C3V3		Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В		60 769	1.28  >100 шт.   0.64
		BZV55C3V3		Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В	NXP
		BZV55C3V3		Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		BZV55C3V3		Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В	KINGTRONICS
		BZV55C3V3		Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В	HOTTECH	305 192	1.58  >100 шт.   0.79
		BZV55C3V3		Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В	YJ	4 480	2.07
		BZV55C3V3		Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В	YANGJIE
		BZV55C3V3		Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В	YANGJIE (YJ)
		BZV55C3V3		Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В	NXP/NEXPERIA
		BZV55C3V3		Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В	PHILIPS
		BZV55C3V3		Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В	KLS	9 003	1.62  >100 шт.   0.81
		BZV55C3V3		Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В	HOTTECN	5 816	1.27
		BZV55C3V3		Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В	CTK	152	1.54  >100 шт.   0.77
		IR2104S		Драйвер полумомтовой. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13A/0.27A, Тбл =500мкс	INTERNATIONAL RECTIFIER	80	160.06
		IR2104S		Драйвер полумомтовой. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13A/0.27A, Тбл =500мкс		4	160.02
		IR2104S		Драйвер полумомтовой. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13A/0.27A, Тбл =500мкс	ТАИЛАНД
		IR2104S		Драйвер полумомтовой. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13A/0.27A, Тбл =500мкс	INFINEON
		IR2104S		Драйвер полумомтовой. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13A/0.27A, Тбл =500мкс	FULIHAO TECH	1 120	94.02
		IR2104S		Драйвер полумомтовой. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13A/0.27A, Тбл =500мкс	FULIHAO
		IR2104S		Драйвер полумомтовой. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13A/0.27A, Тбл =500мкс	4-7 НЕДЕЛЬ	269

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"