| Корпус (размер) | 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
| Тип осцилятора | Internal |
| Преобразователи данных | A/D 10x10b |
| Напряжение источника (Vcc/Vdd) | 4.2 V ~ 5.5 V |
| Размер памяти | 512 x 8 |
| EEPROM Size | 256 x 8 |
| Тип программируемой памяти | FLASH |
| Размер программируемой памяти | 8KB (4K x 16) |
| Число вводов/выводов | 25 |
| Периферия | Brown-out Detect/Reset, LVD, POR, PWM, WDT |
| Подключения | I²C, SPI, UART/USART |
| Скорость | 40MHz |
| Размер ядра | 8-Bit |
| Процессор | PIC |
| Серия | PIC® 18F |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
0805-4.70K 1% |
|
ЧИП — резистор 4,7кОм, 1%
|
|
|
1.24
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
DC COMPONENTS
|
120 461
|
2.36
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
DIC
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
DIOTEC
|
8
|
1.48
>100 шт. 0.74
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
|
7 287
|
1.17
>500 шт. 0.39
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
UTC
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
TSC
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
YJ
|
377 856
|
2.52
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
HOTTECH
|
304 830
|
1.92
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
0.00
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
KLS
|
11 200
|
2.07
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
JSCJ
|
167 040
|
1.55
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
1
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
JINGDAO
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
MDD
|
36 331
|
1.57
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
JSMICRO
|
43 692
|
1.94
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
XXW
|
8 242
|
1.29
>500 шт. 0.43
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
KEEN SIDE
|
1 110
|
1.02
>100 шт. 0.51
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
MERRYELC
|
2 400
|
1.14
>100 шт. 0.57
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
ST MICROELECTRONICS
|
64
|
1.13
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
988
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
RUME
|
26 400
|
1.20
>500 шт. 0.40
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
TRR
|
223 196
|
1.26
>500 шт. 0.42
|
|
|
|
AM1D-0505SZ |
|
DC/DC преобразователь мощностью 1 Вт, вход 4.5:5.5В, выход 5В/200мА, изоляция 1000В ...
|
AIMTEC
|
14
|
165.46
|
|
|
|
AM1D-0505SZ |
|
DC/DC преобразователь мощностью 1 Вт, вход 4.5:5.5В, выход 5В/200мА, изоляция 1000В ...
|
|
1
|
641.70
|
|
|
|
AM1D-0505SZ |
|
DC/DC преобразователь мощностью 1 Вт, вход 4.5:5.5В, выход 5В/200мА, изоляция 1000В ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
BYD17J |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BYD17J |
|
|
PHILIPS
|
67
|
|
|
|
|
|
BYD17J |
|
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
|
BYD17J |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BYD17J |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
BYD17J |
|
|
|
|
|
|
|
|
IR2104S |
|
Драйвер полумомтовой. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13A/0.27A, Тбл =500мкс
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
80
|
160.06
|
|
|
|
IR2104S |
|
Драйвер полумомтовой. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13A/0.27A, Тбл =500мкс
|
|
4
|
160.02
|
|
|
|
IR2104S |
|
Драйвер полумомтовой. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13A/0.27A, Тбл =500мкс
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
IR2104S |
|
Драйвер полумомтовой. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13A/0.27A, Тбл =500мкс
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IR2104S |
|
Драйвер полумомтовой. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13A/0.27A, Тбл =500мкс
|
FULIHAO TECH
|
1
|
98.15
|
|
|
|
IR2104S |
|
Драйвер полумомтовой. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13A/0.27A, Тбл =500мкс
|
FULIHAO
|
|
|
|
|
|
IR2104S |
|
Драйвер полумомтовой. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13A/0.27A, Тбл =500мкс
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
|
|
|