| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| SCR Type | Standard Recovery |
| Voltage - Off State | 650V |
| Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max) | 1.5V |
| Voltage - On State (Vtm) (Max) | 1.75V |
| Current - On State (It (AV)) (Max) | 13A |
| Current - On State (It (RMS)) (Max) | 20A |
| Current - Gate Trigger (Igt) (Max) | 32mA |
| Current - Hold (Ih) (Max) | 60mA |
| Current - Off State (Max) | 1mA |
| Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) | 200A, 220A |
| Рабочая температура | -40°C ~ 125°C |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
|
16CTQ080 |
|
Диод Шоттки 80V 2x8A
|
RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
16CTQ080 |
|
Диод Шоттки 80V 2x8A
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
16CTQ080 |
|
Диод Шоттки 80V 2x8A
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
16CTQ080 |
|
Диод Шоттки 80V 2x8A
|
|
1 316
|
111.00
|
|
|
|
|
16CTQ080 |
|
Диод Шоттки 80V 2x8A
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
451
|
|
|
|
|
|
16CTQ080 |
|
Диод Шоттки 80V 2x8A
|
Vishay/Semiconductors
|
|
|
|
|
|
 |
1N5402 |
|
Выпрямительный диод (Vr=200V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
1N5402 |
|
Выпрямительный диод (Vr=200V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
1N5402 |
|
Выпрямительный диод (Vr=200V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
DC COMPONENTS
|
19 696
|
3.64
|
|
|
|
|
1N5402 |
|
Выпрямительный диод (Vr=200V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
SMK
|
|
|
|
|
|
|
1N5402 |
|
Выпрямительный диод (Vr=200V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
DIODES INC.
|
|
|
|
|
|
|
1N5402 |
|
Выпрямительный диод (Vr=200V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
FAGOR
|
|
|
|
|
|
|
1N5402 |
|
Выпрямительный диод (Vr=200V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
1N5402 |
|
Выпрямительный диод (Vr=200V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
GENERAL INSTRUMENT
|
|
|
|
|
|
|
1N5402 |
|
Выпрямительный диод (Vr=200V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
|
1N5402 |
|
Выпрямительный диод (Vr=200V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
1N5402 |
|
Выпрямительный диод (Vr=200V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
1N5402 |
|
Выпрямительный диод (Vr=200V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
|
1N5402 |
|
Выпрямительный диод (Vr=200V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
1N5402 |
|
Выпрямительный диод (Vr=200V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
|
14 179
|
3.93
|
|
|
|
|
1N5402 |
|
Выпрямительный диод (Vr=200V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
MASTER INSTRUMENT
|
|
|
|
|
|
|
1N5402 |
|
Выпрямительный диод (Vr=200V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
KEEN SIDE
|
4 412
|
2.90
|
|
|
|
|
BU941 |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
BU941 |
|
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
BU941 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
BU941 |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
IRF3710 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=57A@T=25C, Id=40A@T=100C, Rds=0.025 ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRF3710 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=57A@T=25C, Id=40A@T=100C, Rds=0.025 ...
|
|
4
|
55.50
|
|
|
|
|
IRF3710 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=57A@T=25C, Id=40A@T=100C, Rds=0.025 ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
IRF3710 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=57A@T=25C, Id=40A@T=100C, Rds=0.025 ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
IRF3710 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=57A@T=25C, Id=40A@T=100C, Rds=0.025 ...
|
YOUTAI
|
851
|
22.09
|
|
|
|
|
КТ898А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
84
|
204.12
|
|
|
|
|
КТ898А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
|
1
|
340.20
|
|
|
|
|
КТ898А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
БРЯНСК
|
105
|
273.00
|
|
|
|
|
КТ898А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ЭЛЬТАВ
|
|
|
|
|
|
|
КТ898А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ФРЯЗИНО
|
|
|
|
|
|
|
КТ898А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ЭПЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ898А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
130
|
|
|
|
|
|
|
КТ898А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
2
|
|
|
|
Версия для печати
