| Ток питания обмотки | постоянный |
| Количество обмоток | 1 |
| Напряжение срабатывания, не более,В | 3.75 |
| Напряжение отпускания,не менее,В | 0.8 |
| Сопротивление обмотки, Ом | 500 |
| Минимальное рабочее напряжение,В | 16 |
| Номинальное рабочее напряжение,В | 5 |
| Максимальное коммутируемое постоянное напряжение,В | 100 |
| Максимальный коммутируемый постоянный ток, А | 1 |
| Время срабатывания,мс | 1 |
| Время отпускания,мс | 1 |
| Сопротивление изоляции,МОм | 100000 |
| Максимальное сопротивление электрических контактов,Ом | 0.15 |
| Наработка на отказ не менее,циклов х106 | 100 |
| Рабочая температура,С | -40...85 |
| Корпус | SMD |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
|
39 671
|
1.42
>100 шт. 0.71
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
NXP
|
18 828
|
2.12
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
PHILIPS
|
1 568
|
7.81
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
ITT
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
DIOTEC
|
16 236
|
3.69
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
ITT
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
PHILIPS
|
656
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
MCC
|
1
|
1.58
>100 шт. 0.79
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
DC COMPONENTS
|
27 333
|
1.64
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
SIEMENS
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
HOTTECH
|
83 258
|
1.28
>100 шт. 0.64
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
SEMTECH
|
916
|
1.75
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
LRC
|
2 080
|
2.07
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
PANJIT
|
13
|
2.00
>100 шт. 1.00
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
YJ
|
96 564
|
1.92
>100 шт. 0.96
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
0.00
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
TRR
|
172 800
|
1.29
>500 шт. 0.43
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
SUNTAN
|
139 929
|
1.04
>100 шт. 0.52
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
1
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
XSEMI
|
73 250
|
1.50
>500 шт. 0.50
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
1373
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
23504
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
960
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
KEEN SIDE
|
17 310
|
1.50
>500 шт. 0.50
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
14700
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
13700
|
80
|
1.54
>100 шт. 0.77
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
SLKOR
|
14 400
|
1.08
>100 шт. 0.54
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
ZH
|
38 400
|
1.29
>500 шт. 0.43
|
|
|
|
BFR93A |
|
Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BFR93A |
|
Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BFR93A |
|
Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BFR93A |
|
Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт
|
|
|
13.60
|
|
|
|
BFR93A |
|
Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BFR93A |
|
Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BFR93A |
|
Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BFR93A |
|
Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BFR93A |
|
Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт
|
INFINEON
|
54
|
|
|
|
|
LM311DR |
|
Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM311DR |
|
Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
14 054
|
14.84
|
|
|
|
LM311DR |
|
Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс
|
|
8 704
|
33.30
|
|
|
|
LM311DR |
|
Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс
|
TEXAS INSTR
|
|
|
|
|
|
LM311DR |
|
Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
108
|
|
|
|
|
LM311DR |
|
Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
LM311DR |
|
Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
LM311DR |
|
Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс
|
TEXASINSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
LM311DR |
|
Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс
|
XINBOLE
|
9 598
|
10.60
|
|
|
|
LM311DR |
|
Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
26
|
|
|
|
|
LM311DR |
|
Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс
|
12008
|
|
|
|
|
|
LM311DR |
|
Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс
|
5500
|
|
|
|
|
|
LM311DR |
|
Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс
|
7480
|
|
|
|
|
|
LM311DR |
|
Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс
|
70
|
1
|
13.62
|
|
|
|
MC12080DG |
|
Стандартная микросхема , предварительный делитель
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MC12080DG |
|
Стандартная микросхема , предварительный делитель
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MC12080DG |
|
Стандартная микросхема , предварительный делитель
|
|
|
560.00
|
|
|
|
MC12080DG |
|
Стандартная микросхема , предварительный делитель
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MC12080DG |
|
Стандартная микросхема , предварительный делитель
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
632
|
|
|
|
|
КС213Б |
|
Двуханодный стабилитрон с номинальным напряжением стабилизации 13В, 3 ... 10мА, 0.125Вт
|
|
7
|
14.80
|
|
|
|
КС213Б |
|
Двуханодный стабилитрон с номинальным напряжением стабилизации 13В, 3 ... 10мА, 0.125Вт
|
П/П 2
|
|
|
|
|
|
КС213Б |
|
Двуханодный стабилитрон с номинальным напряжением стабилизации 13В, 3 ... 10мА, 0.125Вт
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
|
|
|
|
|
|
КС213Б |
|
Двуханодный стабилитрон с номинальным напряжением стабилизации 13В, 3 ... 10мА, 0.125Вт
|
САРАНСК
|
|
|
|
|
|
КС213Б |
|
Двуханодный стабилитрон с номинальным напряжением стабилизации 13В, 3 ... 10мА, 0.125Вт
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КС213Б |
|
Двуханодный стабилитрон с номинальным напряжением стабилизации 13В, 3 ... 10мА, 0.125Вт
|
СЗТП
|
26
|
46.08
|
|
|
|
КС213Б |
|
Двуханодный стабилитрон с номинальным напряжением стабилизации 13В, 3 ... 10мА, 0.125Вт
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
КС213Б |
|
Двуханодный стабилитрон с номинальным напряжением стабилизации 13В, 3 ... 10мА, 0.125Вт
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
|
|
|
|