Версия для печати
Технические характеристики KX-20 20.0 MHZ

Производитель	Geyer Electronic e.K.
Количество в упаковке	200 шт.
Вес	0.360 г
Частота	20 МГц
Гармоника	1
Шунтирующая емкость	7 пФ
Нагрузочная ёмкость	16 пФ
Стабильность при 25°C	50 ppm
Стабильность в рабочем температурном диапазоне	50 ppm
Резонансное сопротивление	50 Ом
Монтаж	SMD
Размер корпуса	11.6x5.5x1.6 мм
Рабочая температура	-20...70 °C

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BAS70-04		2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)	FAIR
		BAS70-04		2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)	NXP
		BAS70-04		2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)	PHILIPS	120	1.27
		BAS70-04		2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)	DC COMPONENTS	9 527	1.94
		BAS70-04		2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)	INFINEON	378	2.25
		BAS70-04		2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)	MCC
		BAS70-04		2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)	DIOTEC	132	1.83
		BAS70-04		2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)	ST MICROELECTRONICS
		BAS70-04		2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)			6.32
		BAS70-04		2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)	PHILIPS	888
		BAS70-04		2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)	STMICROELECTRONICS
		BAS70-04		2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)	PHILIPS SEMIC
		BAS70-04		2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)	NXP	2 191
		BAS70-04		2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)	WUXI XUYANG
		BAS70-04		2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)	HOTTECH	12 280	1.41  >500 шт.   0.47
		BAS70-04		2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)	YJ	176 259	1.03
		BAS70-04		2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)	CJ
		BAS70-04		2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)	JSCJ	48 841	1.06
		BAS70-04		2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)	SLKOR
		BAS70-04		2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)	XSEMI
		BAS70-04		2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)	YANGZHOU YANGJIE
		BAS70-04		2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)	KEEN SIDE	11 085	1.98  >100 шт.   0.99
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450		40 471	1.42  >100 шт.   0.71
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	NXP	18 828	2.12
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	PHILIPS	1 568	7.81
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	FAIR
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	GENERAL SEMICONDUCTOR
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	ITT
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	INFINEON
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	DIOTEC	16 236	3.70
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	FAIRCHILD
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	GALAXY
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	FAIRCHILD
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	GENERAL SEMICONDUCTOR
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	ITT
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	NXP
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	OTHER
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	PHILIPS	656
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	MCC
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	КИТАЙ
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	DC COMPONENTS	3 349	1.57
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	KINGTRON
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	SIEMENS
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	GALAXY ME
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	HOTTECH	42 367	1.03
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	SEMTECH	916	1.73
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	LRC	2 080	2.07
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	KLS
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	PANJIT	13	1.94  >100 шт.   0.97
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	YJ	102 424	1.92  >100 шт.   0.96
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	YANGJIE
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	YANGJIE (YJ)
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	0.00
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	TRR
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	SUNTAN	130 436	1.50  >500 шт.   0.50
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	1
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	XSEMI	65 239	1.50  >500 шт.   0.50
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	1373
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	23504
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	960
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	KEEN SIDE	22 110	1.44  >500 шт.   0.48
		BFR93A		Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт	NXP
		BFR93A		Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт	PHILIPS
		BFR93A		Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт	VISHAY
		BFR93A		Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт			13.60
		BFR93A		Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт	PHILIPS
		BFR93A		Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт	КИТАЙ
		BFR93A		Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт	NXP
		BFR93A		Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт	INFINEON
		BFR93A		Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт	INFINEON	54
		MC12080DG		Стандартная микросхема , предварительный делитель	ON SEMICONDUCTOR
		MC12080DG		Стандартная микросхема , предварительный делитель	ONS
		MC12080DG		Стандартная микросхема , предварительный делитель			560.00
		MC12080DG		Стандартная микросхема , предварительный делитель	ON SEMICONDUCTOR
		MC12080DG		Стандартная микросхема , предварительный делитель	4-7 НЕДЕЛЬ	632
		КС213Б		Двуханодный стабилитрон с номинальным напряжением стабилизации 13В, 3 ... 10мА, 0.125Вт			18.36
		КС213Б		Двуханодный стабилитрон с номинальным напряжением стабилизации 13В, 3 ... 10мА, 0.125Вт	П/П 2
		КС213Б		Двуханодный стабилитрон с номинальным напряжением стабилизации 13В, 3 ... 10мА, 0.125Вт	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
		КС213Б		Двуханодный стабилитрон с номинальным напряжением стабилизации 13В, 3 ... 10мА, 0.125Вт	САРАНСК
		КС213Б		Двуханодный стабилитрон с номинальным напряжением стабилизации 13В, 3 ... 10мА, 0.125Вт	RUS
		КС213Б		Двуханодный стабилитрон с номинальным напряжением стабилизации 13В, 3 ... 10мА, 0.125Вт	СЗТП	26	46.08
		КС213Б		Двуханодный стабилитрон с номинальным напряжением стабилизации 13В, 3 ... 10мА, 0.125Вт	РОССИЯ
		КС213Б		Двуханодный стабилитрон с номинальным напряжением стабилизации 13В, 3 ... 10мА, 0.125Вт	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"