Версия для печати

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BAS70-04		2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)	FAIR
		BAS70-04		2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)	NXP
		BAS70-04		2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)	PHILIPS	120	1.26
		BAS70-04		2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)	DC COMPONENTS	11 781	1.62
		BAS70-04		2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)	INFINEON	378	1.69
		BAS70-04		2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)	MCC
		BAS70-04		2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)	DIOTEC	132	1.89
		BAS70-04		2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)	ST MICROELECTRONICS
		BAS70-04		2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)			6.32
		BAS70-04		2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)	PHILIPS	888
		BAS70-04		2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)	STMICROELECTRONICS
		BAS70-04		2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)	PHILIPS SEMIC
		BAS70-04		2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)	NXP	2 191
		BAS70-04		2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)	WUXI XUYANG
		BAS70-04		2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)	HOTTECH	12 760	1.40
		BAS70-04		2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)	YJ	331 621	1.03
		BAS70-04		2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)	CJ
		BAS70-04		2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)	JSCJ	49 583	1.04
		BAS70-04		2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)	SLKOR
		BAS70-04		2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)	XSEMI
		BAS70-04		2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)	YANGZHOU YANGJIE
		BAS70-04		2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)	KEEN SIDE	11 101	1.02
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450		40 471	1.38  >100 шт.   0.69
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	NXP	18 844	2.10
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	PHILIPS	1 568	6.80
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	FAIR
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	GENERAL SEMICONDUCTOR
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	ITT
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	INFINEON
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	DIOTEC	16 236	3.76
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	FAIRCHILD
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	GALAXY
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	FAIRCHILD
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	GENERAL SEMICONDUCTOR
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	ITT
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	NXP
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	OTHER
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	PHILIPS	656
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	MCC
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	КИТАЙ
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	DC COMPONENTS	12 066	1.54
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	KINGTRON
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	SIEMENS
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	GALAXY ME
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	HOTTECH	91 739	1.36  >100 шт.   0.68
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	SEMTECH	916	1.75
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	LRC	2 080	2.07
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	KLS
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	PANJIT	13	1.01
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	YJ	99	1.74  >100 шт.   0.87
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	YANGJIE
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	YANGJIE (YJ)
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	0.00
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	TRR
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	SUNTAN	136 880	1.04  >100 шт.   0.52
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	1
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	XSEMI	50 712	1.52  >100 шт.   0.76
		BFR93A		Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт	NXP
		BFR93A		Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт	PHILIPS
		BFR93A		Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт	VISHAY
		BFR93A		Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт			13.60
		BFR93A		Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт	PHILIPS
		BFR93A		Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт	КИТАЙ
		BFR93A		Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт	NXP
		BFR93A		Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт	INFINEON
		BFR93A		Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт	INFINEON	54
		MC12080DG		Стандартная микросхема , предварительный делитель	ON SEMICONDUCTOR
		MC12080DG		Стандартная микросхема , предварительный делитель	ONS
		MC12080DG		Стандартная микросхема , предварительный делитель			560.00
		MC12080DG		Стандартная микросхема , предварительный делитель	ON SEMICONDUCTOR
		MC12080DG		Стандартная микросхема , предварительный делитель	4-7 НЕДЕЛЬ	632
		КС213Б		Двуханодный стабилитрон с номинальным напряжением стабилизации 13В, 3 ... 10мА, 0.125Вт			18.36
		КС213Б		Двуханодный стабилитрон с номинальным напряжением стабилизации 13В, 3 ... 10мА, 0.125Вт	П/П 2
		КС213Б		Двуханодный стабилитрон с номинальным напряжением стабилизации 13В, 3 ... 10мА, 0.125Вт	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
		КС213Б		Двуханодный стабилитрон с номинальным напряжением стабилизации 13В, 3 ... 10мА, 0.125Вт	САРАНСК
		КС213Б		Двуханодный стабилитрон с номинальным напряжением стабилизации 13В, 3 ... 10мА, 0.125Вт	RUS
		КС213Б		Двуханодный стабилитрон с номинальным напряжением стабилизации 13В, 3 ... 10мА, 0.125Вт	СЗТП	26	41.58
		КС213Б		Двуханодный стабилитрон с номинальным напряжением стабилизации 13В, 3 ... 10мА, 0.125Вт	РОССИЯ
		КС213Б		Двуханодный стабилитрон с номинальным напряжением стабилизации 13В, 3 ... 10мА, 0.125Вт	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"