| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
|
38 863
|
1.32
>100 шт. 0.66
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
NXP
|
18 812
|
1.86
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
PHILIPS
|
1 568
|
7.81
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
ITT
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
DIOTEC
|
9 035
|
4.43
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
ITT
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
PHILIPS
|
656
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
MCC
|
1
|
1.86
>100 шт. 0.93
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
DC COMPONENTS
|
21 407
|
3.44
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
SIEMENS
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
HOTTECH
|
89 096
|
1.34
>100 шт. 0.67
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
SEMTECH
|
916
|
2.10
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
LRC
|
2 080
|
2.07
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
PANJIT
|
13
|
1.08
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
YJ
|
125 761
|
3.06
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
0.00
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
TRR
|
165 600
|
1.32
>500 шт. 0.44
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
SUNTAN
|
98 865
|
1.10
>100 шт. 0.55
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
1
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
XSEMI
|
52 975
|
1.10
>100 шт. 0.55
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
1373
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
23504
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
960
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
KEEN SIDE
|
13 908
|
1.08
>100 шт. 0.54
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
14700
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
13700
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
SLKOR
|
14 400
|
1.14
>100 шт. 0.57
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
ZH
|
38 400
|
1.26
>100 шт. 0.63
|
|
|
|
BFR93A |
|
Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BFR93A |
|
Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BFR93A |
|
Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BFR93A |
|
Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт
|
|
|
13.60
|
|
|
|
BFR93A |
|
Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BFR93A |
|
Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BFR93A |
|
Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BFR93A |
|
Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BFR93A |
|
Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт
|
INFINEON
|
54
|
|
|
|
|
LM311DR |
|
Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM311DR |
|
Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
13 400
|
13.02
|
|
|
|
LM311DR |
|
Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс
|
|
8 408
|
33.48
|
|
|
|
LM311DR |
|
Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс
|
TEXAS INSTR
|
|
|
|
|
|
LM311DR |
|
Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
108
|
|
|
|
|
LM311DR |
|
Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
LM311DR |
|
Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
LM311DR |
|
Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс
|
TEXASINSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
LM311DR |
|
Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс
|
XINBOLE
|
9 598
|
9.30
|
|
|
|
LM311DR |
|
Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
26
|
|
|
|
|
LM311DR |
|
Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс
|
12008
|
|
|
|
|
|
LM311DR |
|
Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс
|
5500
|
|
|
|
|
|
LM311DR |
|
Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс
|
7480
|
|
|
|
|
|
LM311DR |
|
Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс
|
70
|
|
|
|
|
|
MC12080DG |
|
Стандартная микросхема , предварительный делитель
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MC12080DG |
|
Стандартная микросхема , предварительный делитель
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MC12080DG |
|
Стандартная микросхема , предварительный делитель
|
|
|
560.00
|
|
|
|
MC12080DG |
|
Стандартная микросхема , предварительный делитель
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MC12080DG |
|
Стандартная микросхема , предварительный делитель
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
632
|
|
|
|
|
КС213Б |
|
Двуханодный стабилитрон с номинальным напряжением стабилизации 13В, 3 ... 10мА, 0.125Вт
|
|
16
|
14.88
|
|
|
|
КС213Б |
|
Двуханодный стабилитрон с номинальным напряжением стабилизации 13В, 3 ... 10мА, 0.125Вт
|
П/П 2
|
|
|
|
|
|
КС213Б |
|
Двуханодный стабилитрон с номинальным напряжением стабилизации 13В, 3 ... 10мА, 0.125Вт
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
|
|
|
|
|
|
КС213Б |
|
Двуханодный стабилитрон с номинальным напряжением стабилизации 13В, 3 ... 10мА, 0.125Вт
|
САРАНСК
|
|
|
|
|
|
КС213Б |
|
Двуханодный стабилитрон с номинальным напряжением стабилизации 13В, 3 ... 10мА, 0.125Вт
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КС213Б |
|
Двуханодный стабилитрон с номинальным напряжением стабилизации 13В, 3 ... 10мА, 0.125Вт
|
СЗТП
|
44
|
49.97
|
|
|
|
КС213Б |
|
Двуханодный стабилитрон с номинальным напряжением стабилизации 13В, 3 ... 10мА, 0.125Вт
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
КС213Б |
|
Двуханодный стабилитрон с номинальным напряжением стабилизации 13В, 3 ... 10мА, 0.125Вт
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
|
|
|
|