| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BC857 |
|
маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC857 |
|
маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC857 |
|
маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC857 |
|
маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...
|
NXP
|
10 484
|
|
|
|
|
BC857 |
|
маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...
|
|
281
|
5.52
|
|
|
|
BC857 |
|
маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
BC857 |
|
маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...
|
JSCJ
|
608 720
|
1.16
>100 шт. 0.58
|
|
|
|
CC0603JRNPO9BN220 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 22 пф, NPO, 5%, 0603
|
PHYCOMP
|
|
|
|
|
|
CC0603JRNPO9BN220 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 22 пф, NPO, 5%, 0603
|
PHYCOMP
|
|
|
|
|
|
CC0603JRNPO9BN220 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 22 пф, NPO, 5%, 0603
|
YAGEO
|
1 503 564
|
0.70
>1000 шт. 0.14
|
|
|
|
CC0603JRNPO9BN220 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 22 пф, NPO, 5%, 0603
|
YAGEO
|
2 285
|
|
|
|
|
CC0603JRNPO9BN220 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 22 пф, NPO, 5%, 0603
|
|
|
|
|
|
|
IR2153SPBF |
|
Полумостовой драйвер с автоген. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.1A/0.21A, Тбл=1мкс
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IR2153SPBF |
|
Полумостовой драйвер с автоген. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.1A/0.21A, Тбл=1мкс
|
|
|
|
|
|
|
IR2153SPBF |
|
Полумостовой драйвер с автоген. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.1A/0.21A, Тбл=1мкс
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IR2153SPBF |
|
Полумостовой драйвер с автоген. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.1A/0.21A, Тбл=1мкс
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IR2153SPBF |
|
Полумостовой драйвер с автоген. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.1A/0.21A, Тбл=1мкс
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
490
|
|
|
|
|
LP2950ACDT-3.3RG |
|
Линейный Стабилизатор напряжения ``low drop``30В/3.3В
|
ON SEMICONDUCTOR
|
1 532
|
95.40
|
|
|
|
LP2950ACDT-3.3RG |
|
Линейный Стабилизатор напряжения ``low drop``30В/3.3В
|
ONS
|
|
|
|
|
|
LP2950ACDT-3.3RG |
|
Линейный Стабилизатор напряжения ``low drop``30В/3.3В
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
LP2950ACDT-3.3RG |
|
Линейный Стабилизатор напряжения ``low drop``30В/3.3В
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
LP2950ACDT-3.3RG |
|
Линейный Стабилизатор напряжения ``low drop``30В/3.3В
|
|
|
|
|
|
|
LP2950ACDT-3.3RG |
|
Линейный Стабилизатор напряжения ``low drop``30В/3.3В
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
LP2950ACDT-3.3RG |
|
Линейный Стабилизатор напряжения ``low drop``30В/3.3В
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LP2950ACDT-3.3RG |
|
Линейный Стабилизатор напряжения ``low drop``30В/3.3В
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
746
|
|
|
|
|
LP2950ACDT-3.3RG |
|
Линейный Стабилизатор напряжения ``low drop``30В/3.3В
|
1915
|
|
|
|
|
|
NE5532DR |
|
Малошумящий прецизионный операционный усилитель 2 канальный
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
2 320
|
13.43
|
|
|
|
NE5532DR |
|
Малошумящий прецизионный операционный усилитель 2 канальный
|
NEC
|
|
|
|
|
|
NE5532DR |
|
Малошумящий прецизионный операционный усилитель 2 канальный
|
|
|
24.80
|
|
|
|
NE5532DR |
|
Малошумящий прецизионный операционный усилитель 2 канальный
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
NE5532DR |
|
Малошумящий прецизионный операционный усилитель 2 канальный
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
NE5532DR |
|
Малошумящий прецизионный операционный усилитель 2 канальный
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
794
|
|
|