Версия для печати
Технические характеристики SK050M0100B3F-0811

Производитель	Yageo Corporation
Допуск емкости	±20%
Номинальное напряжение	50 В
Ток утечки	50 мкА
Тангенс угла диэлектрических потерь	0.1
Максимальный ток пульсаций	230 А
Шаг выводов	3.5 мм
Срок службы	2000 Ч
Размер корпуса	ф 8x11
Рабочая температура	-40...85 °C
	For General
Емкость	100 мкФ
Серия	SK
Корпус (размер)	Radial
Тип монтажа	Выводной
Тип	Электролитический алюминиевый

Электролитический алюминиевый конденсатор 100мкФ, 50В, +-20% SK050M0100B3F-0811 datasheet 2,35MB 82стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Конденсаторы

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	MICRO SEMICONDUCTOR
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	MCC
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	ST MICROELECTRONICS
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	FAIR
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	GENERAL SEMICONDUCTOR
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	GOODWORK SEMICONDUCTER
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	LITE ON OPTOELECTRONICS
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	RECTRON
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	DC COMPONENTS	4 172	3.07
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	ON SEMICONDUCTOR
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	SMK
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	MIC	28 092	2.09
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	YJ	6 132	3.10
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	FAIRCHILD
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	GALAXY
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	DC COMPONENTS	3 692
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	FAIRCHILD
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	GENERAL SEMICONDUCTOR	21
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	GOODWORK SEMICONDUCTER, INC.
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	LITE ON OPTOELECTRONICS
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	ON SEMICONDUCTOR	80
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	OTHER
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	RECTRON	240
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	ST MICROELECTRONICS SEMI
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	YJ ELECTRONIC
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	Fairchild Semiconductor
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	Vishay/Semiconductors
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	STMicroelectronics
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	КИТАЙ	312	3.15
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	LESHAN RADIO COMPANY, LTD	43 351
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	MOTOROLA
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	RECTIFIER
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	DIODES INC.	14
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	MMC
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	MIG
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А		6 763	1.83
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	MULTICOMP
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	KINGTRONICS
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	ONS-FAIR
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	GALAXY ME
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	JY
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	KLS
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	SUNTAN	316	1.68
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	YANGJIE	4 000	2.34
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	YANGJIE (YJ)
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	WUXI XUYANG
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	SEMTECH
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	MIС
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	ASEMI
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	HOTTECH
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	1
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	KEEN SIDE
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	ST/YJ	78	3.15
		3296W-1-473		Подстроечный резистор 47K	BOURNS
		3296W-1-473		Подстроечный резистор 47K	BARONS
		3296W-1-473		Подстроечный резистор 47K			24.00
		3296W-1-473		Подстроечный резистор 47K	TRIMMER
		3296W-1-473		Подстроечный резистор 47K	BOURNS
		3296W-1-473		Подстроечный резистор 47K	Bourns Inc
		3296W-1-473		Подстроечный резистор 47K	КИТАЙ
		FR157		Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS	CHIN
		FR157		Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS	DC COMPONENTS	9 057	1.73
		FR157		Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS		12 321	1.07
		FR157		Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS	GALAXY
		FR157		Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS	ELZET
		FR157		Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS	NGBO YOUNG ELECTRON
		FR157		Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		FR157		Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS	КИТАЙ	80	6.80
		FR157		Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS	MIG
		FR157		Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS	MCC
		FR157		Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS	MIC	8 996	1.33
		FR157		Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS	KINGTRONICS	7	3.10
		FR157		Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD	1 683	1.91
		FR157		Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS	YJ	176	2.07
		FR157		Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS	GALAXY ME
		FR157		Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS	WUXI XUYANG	23 853	1.90
		FR157		Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS	YANGJIE	11 600	1.70
		FR157		Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS	YANGJIE (YJ)
		FR157		Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS	JANGJIE
		FR157		Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS	0.00
		FR157		Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS	HOTTECH	19 200	1.20
		FR157		Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS	1
		FR157		Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS	CTK	86	1.75
		FR157		Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS	KEEN SIDE	5 016	1.05
		SK050M1000B5S-1325		Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ 50 В	YAGEO
		SK050M1000B5S-1325		Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ 50 В	YAGEO
		SK050M1000B5S-1325		Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ 50 В	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		SK050M1000B5S-1325		Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ 50 В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		SK050M1000B5S-1325		Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ 50 В
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...		892	32.02
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	КРЕМНИЙ	800	24.57
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	ТРАНЗИСТОР
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	БРЯНСК	3 152	39.90
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	МИНСК
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	RUS
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	ИНТЕГРАЛ
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	КРЕМН
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	ЭЛЬТАВ	3 399	16.80

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"