Версия для печати
Технические характеристики SK050M0100B3F-0811

Производитель	Yageo Corporation
Допуск емкости	±20%
Номинальное напряжение	50 В
Ток утечки	50 мкА
Тангенс угла диэлектрических потерь	0.1
Максимальный ток пульсаций	230 А
Шаг выводов	3.5 мм
Срок службы	2000 Ч
Размер корпуса	ф 8x11
Рабочая температура	-40...85 °C
	For General
Емкость	100 мкФ
Серия	SK
Корпус (размер)	Radial
Тип монтажа	Выводной
Тип	Электролитический алюминиевый

Электролитический алюминиевый конденсатор 100мкФ, 50В, +-20% SK050M0100B3F-0811 datasheet 2,35MB 82стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Конденсаторы

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	MICRO SEMICONDUCTOR
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	MCC
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	ST MICROELECTRONICS
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	FAIR
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	GENERAL SEMICONDUCTOR
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	GOODWORK SEMICONDUCTER
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	LITE ON OPTOELECTRONICS
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	RECTRON
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	DC COMPONENTS	3 732	4.99
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	ON SEMICONDUCTOR
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	SMK
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	MIC	28 350	7.16
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	YJ	21 398	4.26
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	FAIRCHILD
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	GALAXY
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	DC COMPONENTS	3 692
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	FAIRCHILD
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	GENERAL SEMICONDUCTOR	21
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	GOODWORK SEMICONDUCTER, INC.
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	LITE ON OPTOELECTRONICS
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	ON SEMICONDUCTOR	80
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	OTHER
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	RECTRON	240
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	ST MICROELECTRONICS SEMI
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	YJ ELECTRONIC
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	Fairchild Semiconductor
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	Vishay/Semiconductors
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	STMicroelectronics
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	КИТАЙ
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	LESHAN RADIO COMPANY, LTD	43 351
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	MOTOROLA
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	RECTIFIER
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	DIODES INC.	14
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	MMC
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	MIG
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А		2 319	7.44
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	MULTICOMP
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	KINGTRONICS
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	ONS-FAIR
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	GALAXY ME
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	JY
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	KLS
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	SUNTAN	66	1.81
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	YANGJIE	23 200	2.57
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	YANGJIE (YJ)
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	WUXI XUYANG
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	SEMTECH	492	1.39
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	MIС
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	ASEMI
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	HOTTECH
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	1
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	KEEN SIDE	18 800	1.59
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	ST/YJ
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	10
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	68
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	876
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	98
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	542
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	RUME	95	1.35
		3296W-1-473		Подстроечный резистор 47K	BOURNS
		3296W-1-473		Подстроечный резистор 47K	BARONS
		3296W-1-473		Подстроечный резистор 47K			24.00
		3296W-1-473		Подстроечный резистор 47K	TRIMMER
		3296W-1-473		Подстроечный резистор 47K	BOURNS
		3296W-1-473		Подстроечный резистор 47K	Bourns Inc
		3296W-1-473		Подстроечный резистор 47K	КИТАЙ
		FR157		Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS	CHIN
		FR157		Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS	DC COMPONENTS	5 788	2.00
		FR157		Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS		312	7.56
		FR157		Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS	GALAXY
		FR157		Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS	ELZET
		FR157		Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS	NGBO YOUNG ELECTRON
		FR157		Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		FR157		Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS	КИТАЙ	80	7.81
		FR157		Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS	MIG
		FR157		Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS	MCC
		FR157		Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS	MIC	30 031	1.55
		FR157		Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS	KINGTRONICS	7	4.13
		FR157		Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD	1 683	2.25
		FR157		Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS	YJ	96	3.10
		FR157		Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS	GALAXY ME
		FR157		Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS	WUXI XUYANG	33 645	2.05
		FR157		Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS	YANGJIE	11 600	1.98
		FR157		Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS	YANGJIE (YJ)
		FR157		Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS	JANGJIE
		FR157		Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS	0.00
		FR157		Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS	HOTTECH	3 200	1.26
		FR157		Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS	1
		FR157		Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS	CTK
		FR157		Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS	KEEN SIDE	60	1.16
		SK050M1000B5S-1325		Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ 50 В	YAGEO
		SK050M1000B5S-1325		Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ 50 В	YAGEO
		SK050M1000B5S-1325		Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ 50 В	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		SK050M1000B5S-1325		Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ 50 В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		SK050M1000B5S-1325		Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ 50 В
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...		92	22.08
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	КРЕМНИЙ	52	26.55
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	ТРАНЗИСТОР
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	БРЯНСК	3 152	35.34
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	МИНСК
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	RUS
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	ИНТЕГРАЛ
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	КРЕМН
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	ЭЛЬТАВ	3 272	14.88
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	3940
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	4249

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"