|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
|
7 024
|
1.42
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
MIC
|
10 572
|
1.56
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
FAIRCHILD
|
56
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
GALAXY SEMI HOLDINGS CO LTD.
|
44
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
MOTOROLA
|
53
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
OTHER
|
114
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
PHILIPS
|
70
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
136
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
YJ ELECTRONIC
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
14
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
YJ
|
44 670
|
2.61
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
ON SEMICONDUCTOR
|
22
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
DC COMPONENTS
|
18 777
|
3.15
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
MCC
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
28
|
2.40
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
BL
|
3 860
|
3.15
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
JF
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
ONS
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
MASTER INSTRUMENT
|
52
|
9.45
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
SUNTAN
|
1
|
1.32
>100 шт. 0.66
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
JY
|
281
|
4.23
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
GEMBIRD
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
MD
|
397
|
3.15
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
ASEMI
|
5
|
2.36
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
1
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
LGE
|
2 054
|
2.22
|
|
|
|
CC0805ZRY5V9BB103 |
|
Керамический конденсатор 0.01мкФ, 50 В
|
YAGEO
|
49 784
|
1.02
>100 шт. 0.51
|
|
|
|
CC0805ZRY5V9BB103 |
|
Керамический конденсатор 0.01мкФ, 50 В
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
CC0805ZRY5V9BB103 |
|
Керамический конденсатор 0.01мкФ, 50 В
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
CC0805ZRY5V9BB103 |
|
Керамический конденсатор 0.01мкФ, 50 В
|
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
VISHAY
|
56
|
43.72
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
|
2 176
|
24.52
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
IR/VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
MINOS
|
1 094
|
28.23
|
|
|
|
MF-0.25-4.7К 1% |
|
Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
MF-0.25-4.7К 1% |
|
Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический
|
|
6
|
1.68
>100 шт. 0.84
|
|
|
|
TL074CN |
|
Операционный усилитель счетвеpенный, JFET, 4MHz, 13V/uS
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
TL074CN |
|
Операционный усилитель счетвеpенный, JFET, 4MHz, 13V/uS
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
TL074CN |
|
Операционный усилитель счетвеpенный, JFET, 4MHz, 13V/uS
|
UTC
|
|
|
|
|
|
TL074CN |
|
Операционный усилитель счетвеpенный, JFET, 4MHz, 13V/uS
|
|
785
|
29.81
|
|
|
|
TL074CN |
|
Операционный усилитель счетвеpенный, JFET, 4MHz, 13V/uS
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
TL074CN |
|
Операционный усилитель счетвеpенный, JFET, 4MHz, 13V/uS
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
TL074CN |
|
Операционный усилитель счетвеpенный, JFET, 4MHz, 13V/uS
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
TL074CN |
|
Операционный усилитель счетвеpенный, JFET, 4MHz, 13V/uS
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
TL074CN |
|
Операционный усилитель счетвеpенный, JFET, 4MHz, 13V/uS
|
TEXAS INSTR
|
|
|
|
|
|
TL074CN |
|
Операционный усилитель счетвеpенный, JFET, 4MHz, 13V/uS
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
TL074CN |
|
Операционный усилитель счетвеpенный, JFET, 4MHz, 13V/uS
|
TEXAS
|
565
|
49.15
|
|
|
|
TL074CN |
|
Операционный усилитель счетвеpенный, JFET, 4MHz, 13V/uS
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
TL074CN |
|
Операционный усилитель счетвеpенный, JFET, 4MHz, 13V/uS
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
TL074CN |
|
Операционный усилитель счетвеpенный, JFET, 4MHz, 13V/uS
|
1
|
|
|
|
|
|
TL074CN |
|
Операционный усилитель счетвеpенный, JFET, 4MHz, 13V/uS
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
765
|
|
|