Версия для печати
Технические характеристики CC0805ZRY5V9BB103

Производитель	Yageo Corporation
Количество в упаковке	4000 шт.
Вес	0.034 г
Допуск емкости	+80/-20%
Номинальное постоянное напряжение	50 В
Тип диэлектрика	Y5V
Рабочая температура	-30...85 °C
	Multilayer chip capacitance
Размер	2.0x1.2x1.2
Номинальное напряжение	50 В
Температурный коэфициент	Y5V
Емкость	0.01 мкФ
Серия	CC_0805
Корпус (размер)	0805
Тип монтажа	Поверхностный
Тип	Керамический

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Конденсаторы

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1N4007			DC COMPONENTS	75 420	1.50
		1N4007			GENERAL SEMICONDUCTOR
		1N4007			LITE ON OPTOELECTRONICS
		1N4007			PANJIT
		1N4007			FSC
		1N4007			MCC
		1N4007			DIC
		1N4007			FAIR
		1N4007			PHILIPS
		1N4007			MIC	342 812	1.48
		1N4007			DIOTEC	71 820	2.87
		1N4007			ON SEMICONDUCTOR
		1N4007			LD
		1N4007			JGD
		1N4007			MING SHUN
		1N4007			MS
		1N4007			QUAN-HONG
		1N4007			XR
		1N4007			GALAXY
		1N4007			COMPACT TECHNOLOGY
		1N4007			DC COMPONENTS
		1N4007			FAIRCHILD	288
		1N4007			GENERAL SEMICONDUCTOR	1
		1N4007			LITE ON OPTOELECTRONICS
		1N4007			MASTER INSTRUMENT CORPORATION
		1N4007			MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
		1N4007			ON SEMICONDUCTOR
		1N4007			PANJIT	307 692
		1N4007			PHILIPS
		1N4007			TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
		1N4007			YANGJIE SEMICONDUCT
		1N4007			Fairchild Semiconductor
		1N4007			SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
		1N4007			MICROSEMI CORP
		1N4007			ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		1N4007			GD
		1N4007			JC
		1N4007			KINGTRONICS
		1N4007			YJ	336 618	1.28
		1N4007			DIODES INC.
		1N4007			MIG
		1N4007			MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
		1N4007			MOTOROLA
		1N4007			YJ ELE-NIC CORP
		1N4007			RECTIFIER
		1N4007			EXTRA COM-NTS
		1N4007			GALAXY ELECTRICAL
		1N4007			GEMBIRD
		1N4007			ТОМИЛИНО
		1N4007			EXTRA
		1N4007			КИТАЙ	816	5.47
		1N4007			DIOTEC SEMICONDUCTOR
		1N4007			MD
		1N4007				1 916	3.70
		1N4007			ONS-FAIR
		1N4007			ONS
		1N4007			ELZET
		1N4007			GALAXY ME
		1N4007			LGE	171	1.03
		1N4007			HOTTECH	123 136	1.96  >100 шт.   0.98
		1N4007			KLS	136	2.07
		1N4007			YS	2 311	1.38
		1N4007			YANGJIE	71 392	1.42
		1N4007			YANGJIE (YJ)
		1N4007			MC
		1N4007			FAIRCHILD
		1N4007			WUXI XUYANG
		1N4007			KUU	4	0.96  >500 шт.   0.32
		1N4007			CHINA
		1N4007			SUNRISETRON
		1N4007			UNKNOWN
		1N4007			BILIN
		1N4007			KEHE
		1N4007			1
		1N4007			BL
		1N4007			SUNTAN	59 027	1.18
		1N4007			TWGMC	27 974	1.14  >500 шт.   0.38
		1N4007			CTK
		1N4007			JUXING	85	1.69
		1N4007			ASEMI	1	1.46  >100 шт.   0.73
		1N4007			YANGZHOU YANGJIE
		1N4007			KEEN SIDE	454 402	1.12  >100 шт.   0.56
		AT90USB162-16AU		Аппаратный USB интерфейс, не требует программатора	ATMEL
		AT90USB162-16AU		Аппаратный USB интерфейс, не требует программатора			320.00
		AT90USB162-16AU		Аппаратный USB интерфейс, не требует программатора	США
		AT90USB162-16AU		Аппаратный USB интерфейс, не требует программатора	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
		AT90USB162-16AU		Аппаратный USB интерфейс, не требует программатора	ATMEL CORPORATION	6
		AT90USB162-16AU		Аппаратный USB интерфейс, не требует программатора	MICRO CHIP	200	619.92
		AT90USB162-16AU		Аппаратный USB интерфейс, не требует программатора	4-7 НЕДЕЛЬ	545
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	NXP	5 527	1.70
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	FAIR
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	DC COMPONENTS	28 752	1.27
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	DIOTEC
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	FAIRCHILD
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	GALAXY
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	FAIRCHILD
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	NATIONAL SEMICONDUCTOR	185
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	PANJIT
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ST MICROELECTRONICS
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	SEMTECH
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)		13 885	1.42  >100 шт.   0.71
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	NXP	1 100
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	DIODES INCORPORATED
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ONS
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ONSEMICONDUCTOR
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	GALAXY ME
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	LRC
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	HOTTECH	492 764	1.29  >500 шт.   0.43
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	KLS
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	SUNTAN
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	YJ	576 224	1.68  >100 шт.   0.84
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	YANGJIE (YJ)
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	CJ	332	1.30  >100 шт.   0.65
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	JSCJ	63 247	1.32  >100 шт.   0.66
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	YANGJIE	7 200	1.36  >100 шт.   0.68
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	JINGDAO	166 895	1.16  >100 шт.   0.58
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	TWGMC
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	MDD
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	PLINGSEMIC	152 807	1.47  >500 шт.   0.49
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	YANGZHOU YANGJIE
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	SLKOR	96	1.44  >500 шт.   0.48
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	KEEN SIDE	145 369	1.32  >500 шт.   0.44
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	1700
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	2209
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	3000
		CC0805KRX7R9BB104		Керамический неполярный ЧИП конденсатор 0.1мкф,Х7R,10%, 0805, 50В	YAGEO	3 169 289	0.75  >500 шт.   0.25
		CC0805KRX7R9BB104		Керамический неполярный ЧИП конденсатор 0.1мкф,Х7R,10%, 0805, 50В			1.92  >100 шт.   0.96
		CC0805KRX7R9BB104		Керамический неполярный ЧИП конденсатор 0.1мкф,Х7R,10%, 0805, 50В	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		CC0805KRX7R9BB104		Керамический неполярный ЧИП конденсатор 0.1мкф,Х7R,10%, 0805, 50В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		CC0805KRX7R9BB104		Керамический неполярный ЧИП конденсатор 0.1мкф,Х7R,10%, 0805, 50В	PHYCOMP
		CC0805KRX7R9BB104		Керамический неполярный ЧИП конденсатор 0.1мкф,Х7R,10%, 0805, 50В	YAGEO	20 644
		CC0805ZKY5V9BB105		Керамический конденсатор 1 мкФ 50 В	YAGEO	158 019	1.42  >100 шт.   0.71
		CC0805ZKY5V9BB105		Керамический конденсатор 1 мкФ 50 В			6.24
		CC0805ZKY5V9BB105		Керамический конденсатор 1 мкФ 50 В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"