CRCW2010150RFKTF
|
RES 150 OHM 3/4W 1% 2010 SMD |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Серия | CRCW |
| Сопротивление (Ом) | 150 |
| Мощность (Ватт) | 0.75W, 3/4W |
| Composition | Thick Film |
| Температурный коэфициент | ±100ppm/°C |
| Допустимые отклонения емкости | ±1% |
| Tolerance | ±1% |
| Size / Dimension | 0.197" L x 0.098" W (5.00mm x 2.50mm) |
| Высота | 0.028" (0.70mm) |
| Number of Terminations | 2 |
| Корпус (размер) | 2010 (5025 Metric) |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ADP3335ARM-3.3-RL7 | ANALOG DEVICES |
|
|
|||||
| ADP3335ARM-3.3-RL7 |
|
533.76 | ||||||
| ADP3335ARM-3.3-RL7 | 4-7 НЕДЕЛЬ | 641 |
|
|||||
 |
 |
ADP3339AKCZ-1.8-RL |
|
Analog Devices Inc |
|
|
||
| DS1302ZN+T | MAX |
|
|
|||||
| DS1302ZN+T |
|
|
||||||
| DS1302ZN+T | 4-7 НЕДЕЛЬ | 504 |
|
|||||
 |
|
IS41LV16100B-50KLI |
|
Оперативная память DRAM, паралельная , 16Мбит, 50нс, 3 ... 3.6В |
|
1 536.00 | ||
|
|
|
IS41LV16100B-50KLI |
|
Оперативная память DRAM, паралельная , 16Мбит, 50нс, 3 ... 3.6В | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
|
|
|
|
|
|
IS41LV16100B-50KLI |
|
Оперативная память DRAM, паралельная , 16Мбит, 50нс, 3 ... 3.6В | INTEGRATED SILICON SOLUTION |
|
|
|
|
|
|
IS41LV16100B-50KLI |
|
Оперативная память DRAM, паралельная , 16Мбит, 50нс, 3 ... 3.6В | 4-7 НЕДЕЛЬ | 589 |
|
|
| MMUN2211LT1G |
|
Транзистор n-p-n 50V 100mA SOT23 | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||
| MMUN2211LT1G |
|
Транзистор n-p-n 50V 100mA SOT23 |
|
|
||||
| MMUN2211LT1G |
|
Транзистор n-p-n 50V 100mA SOT23 | ONS |
|
|
|||
| MMUN2211LT1G |
|
Транзистор n-p-n 50V 100mA SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 8 454 |
|
|||
| MMUN2211LT1G |
|
Транзистор n-p-n 50V 100mA SOT23 | ON SEMICONDUCTO |
|
|
