| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | AT91SAM |
| Процессор | ARM9 |
| Размер ядра | 16/32-Bit |
| Скорость | 180MHz |
| Подключения | EBI/EMI, Ethernet, I²C, MMC, SPI, SSC, UART/USART, USB |
| Периферия | POR |
| Число вводов/выводов | 122 |
| Размер программируемой памяти | 128KB (128K x 8) |
| Тип программируемой памяти | ROM |
| Размер памяти | 48K x 8 |
| Напряжение источника (Vcc/Vdd) | 1.65 V ~ 1.95 V |
| Тип осцилятора | Internal |
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
| Корпус (размер) | 208-MQFP, 208-PQFP |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
IS41LV16100B-50KLI |
|
Оперативная память DRAM, паралельная , 16Мбит, 50нс, 3 ... 3.6В
|
|
|
1 536.00
|
|
|
|
|
IS41LV16100B-50KLI |
|
Оперативная память DRAM, паралельная , 16Мбит, 50нс, 3 ... 3.6В
|
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
|
IS41LV16100B-50KLI |
|
Оперативная память DRAM, паралельная , 16Мбит, 50нс, 3 ... 3.6В
|
INTEGRATED SILICON SOLUTION
|
|
|
|
|
|
|
IS41LV16100B-50KLI |
|
Оперативная память DRAM, паралельная , 16Мбит, 50нс, 3 ... 3.6В
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
589
|
|
|
|
|
|
MAX1694EUB |
|
|
|
|
308.80
|
|
|
|
|
MAX1694EUB |
|
|
Maxim Integrated Products
|
|
|
|
|
|
|
MAX1694EUB |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
504
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
UTC
|
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
DIOTEC
|
11 903
|
2.43
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
JIANGSU CHANJIANG ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
MCC
|
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
DIODES INC.
|
16
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
FAIRCHILD
|
48
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
|
43 240
|
1.42
>100 шт. 0.71
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
KLS
|
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
HOTTECH
|
92
|
1.92
>100 шт. 0.96
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
YJ
|
47 136
|
2.05
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
JSCJ
|
20 978
|
1.59
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
ASEMI
|
6 100
|
1.36
>100 шт. 0.68
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
KEEN SIDE
|
6 826
|
1.82
>100 шт. 0.91
|
|
|
|
|
S1D13506F00A2 |
|
|
EPSON
|
|
|
|
|
|
|
S1D13506F00A2 |
|
|
EPSON
|
|
|
|
|
|
|
XC2C128-7VQG100I |
|
|
XILINX
|
|
|
|
|
|
|
XC2C128-7VQG100I |
|
|
XILINX
|
|
|
|
|
|
|
XC2C128-7VQG100I |
|
|
Xilinx Inc
|
|
|
|
|
|
|
XC2C128-7VQG100I |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
XC2C128-7VQG100I |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
383
|
|
|
Версия для печати
