2SB817C

PNP 160V, 12A, 100W, 15MHz (Comp. 2SD1047)

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
2SB817C		281.20

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
1206-3.0 1%			32	1.60
2SD1047	Транзистор S-N, 160В, 12A, SOT93	SANYO
2SD1047	Транзистор S-N, 160В, 12A, SOT93			144.00
2SD1047	Транзистор S-N, 160В, 12A, SOT93	SAN
2SD1047	Транзистор S-N, 160В, 12A, SOT93	ST MICROELECTRONICS
2SD1047	Транзистор S-N, 160В, 12A, SOT93	NO TRADEMARK
2SD1047	Транзистор S-N, 160В, 12A, SOT93	STMICROELECTR
2SD1047	Транзистор S-N, 160В, 12A, SOT93	ISCSEMI
ICE3BS02		INFINEON	80	90.17
ICE3BS02
ICE3BS02		Infineon Technologies
ICE3BS02		США
ICE3BS02		СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
ICE3BS02		1
ICE3BS02		4-7 НЕДЕЛЬ	658
SPA04N60C3	MOSFET силовой транзистор, Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 4.5 А; Rси(вкл): 0.95 Ом; ...	INFINEON
SPA04N60C3	MOSFET силовой транзистор, Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 4.5 А; Rси(вкл): 0.95 Ом; ...			166.40
SPA04N60C3	MOSFET силовой транзистор, Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 4.5 А; Rси(вкл): 0.95 Ом; ...			166.40
SPA04N60C3	MOSFET силовой транзистор, Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 4.5 А; Rси(вкл): 0.95 Ом; ...	Infineon Technologies
SPA04N60C3	MOSFET силовой транзистор, Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 4.5 А; Rси(вкл): 0.95 Ом; ...	INFINEON
SPA04N60C3	MOSFET силовой транзистор, Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 4.5 А; Rси(вкл): 0.95 Ом; ...	INFINEON TECH
КТ 815 В	Транзистор кремниевый NPN усилительный 3МГц, 70В, 1,5А	RUS