IRF9540


P-канальный полевой транзистор 19А, 100В, 140Вт

Купить IRF9540 по цене 36.09 руб.  (без НДС 20%)
IRF9540 P-канальный МОП-транзистор (MOSFET)  с...
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС Купить
IRF9540 632 36.09 
IRF9540PBF (VISHAY) 68 72.88 

P-канальный МОП-транзистор (MOSFET)  с обратным диодом для работы в ключевом режиме.
Максимальный ток стока     19А
Максимальное напряжение сток-исток          100В
Сопротивление сток-исток (откр.)               < 0.117Ом
Максимальная мощность рассеивания     140Вт
Допустимое напряжение на затворе        +/-20В
Пороговое напряжение на затворе          -2..-4В
Ток утечки затвора               <  0.1 мкА
Ток утечки стока (закр.)        <  25 мкА
Время включения/выключения         15/51нс (тип.)
Время восстановления диода           150нс (тип.)
Входная/выходная ёмкость                1300/400пФ
Корпус TO-220
Диапазон рабочих температур        - 55 ...+175oC
Аналог КП785А
Версия для печати

Технические характеристики IRF9540

Lead Free Status / RoHS StatusContains lead / RoHS non-compliant
FET TypeMOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs200 mOhm @ 11A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C19A
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs61nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds1400pF @ 25V
Power - Max150W
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)TO-220-3
КорпусTO-220AB
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRF9x4xx

P-CHANNEL POWER MOSFETS

Также в этом файле: IRF9540

Производитель:
Samsung semiconductor
//www.samsung.com

IRF9540 datasheet
386.58Kb
6стр.

Аналоги:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
    КП785А       52 230.58 
    КП785А     МИНСК Заказ радиодеталей цена радиодетали

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
2SC5707 NPN транзистор широкого применения TO-251, 15Вт   SANYO 4 143.64 
2SC5707 NPN транзистор широкого применения TO-251, 15Вт     1 127.26 
2SC5707 NPN транзистор широкого применения TO-251, 15Вт   SAN Заказ радиодеталей цена радиодетали
2SC5707 NPN транзистор широкого применения TO-251, 15Вт   ISCSEMI Заказ радиодеталей цена радиодетали
2SC5707 NPN транзистор широкого применения TO-251, 15Вт   ISC 1 145 26.80 
IRF530N Транзистор полевой N-MOS 100V, 17A, 79W   INTERNATIONAL RECTIFIER Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRF530N Транзистор полевой N-MOS 100V, 17A, 79W   PHILIPS Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRF530N Транзистор полевой N-MOS 100V, 17A, 79W     1 715 22.08 
IRF530N Транзистор полевой N-MOS 100V, 17A, 79W   PHILIPS Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRF530N Транзистор полевой N-MOS 100V, 17A, 79W   МЕКСИКА Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRF530N Транзистор полевой N-MOS 100V, 17A, 79W   INTERNATIONAL RECTIFIER 26 цена радиодетали
IRF530N Транзистор полевой N-MOS 100V, 17A, 79W   INFINEON Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRF530N Транзистор полевой N-MOS 100V, 17A, 79W   1 Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRF530N Транзистор полевой N-MOS 100V, 17A, 79W   JSMICRO 12 18.95 
IRF540 Транзистор полевой N-канальный 100В, 130Вт   INTERNATIONAL RECTIFIER Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRF540 Транзистор полевой N-канальный 100В, 130Вт   RECTIFIER Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRF540 Транзистор полевой N-канальный 100В, 130Вт   VISHAY Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRF540 Транзистор полевой N-канальный 100В, 130Вт   ST MICROELECTRONICS Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRF540 Транзистор полевой N-канальный 100В, 130Вт   PHILIPS Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRF540 Транзистор полевой N-канальный 100В, 130Вт     Заказ радиодеталей 70.24 
IRF540 Транзистор полевой N-канальный 100В, 130Вт   PHILIPS 14 цена радиодетали
IRF540 Транзистор полевой N-канальный 100В, 130Вт   Vishay/Siliconix Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRF540 Транзистор полевой N-канальный 100В, 130Вт   STMicroelectronics Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRF540 Транзистор полевой N-канальный 100В, 130Вт   КИТАЙ Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRF640 Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)   INTERNATIONAL RECTIFIER Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRF640 Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)   VISHAY Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRF640 Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)   MICRO SEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRF640 Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)   ON SEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRF640 Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)   ST MICROELECTRONICS Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRF640 Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)   MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI) Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRF640 Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)   ON SEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRF640 Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)   Vishay/Siliconix Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRF640 Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)   STMicroelectronics Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRF640 Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)   MICROSEMI CORP Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRF640 Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)     Заказ радиодеталей 66.84 
IRF640 Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)   MINOS 3 196 17.92 
NE555D Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...   NEC Заказ радиодеталей цена радиодетали
NE555D Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...   FAIR Заказ радиодеталей цена радиодетали
NE555D Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...   PHILIPS Заказ радиодеталей цена радиодетали
NE555D Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...   SGS Заказ радиодеталей цена радиодетали
NE555D Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...   SIGNETICS Заказ радиодеталей цена радиодетали
NE555D Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...   ST MICROELECTRONICS 532 32.13 
NE555D Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...   TEXAS INSTRUMENTS Заказ радиодеталей цена радиодетали
NE555D Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...   UTC Заказ радиодеталей цена радиодетали
NE555D Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...   FAIRCHILD Заказ радиодеталей цена радиодетали
NE555D Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...   SGS THOMSON Заказ радиодеталей цена радиодетали
NE555D Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...   SIGNETICS Заказ радиодеталей цена радиодетали
NE555D Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...   TEXAS INSTRUMENTS Заказ радиодеталей цена радиодетали
NE555D Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...   STMicroelectronics Заказ радиодеталей цена радиодетали
NE555D Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...   Fairchild Semiconductor Заказ радиодеталей цена радиодетали
NE555D Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...   TEXAS Заказ радиодеталей цена радиодетали
NE555D Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...     Заказ радиодеталей 21.28 
NE555D Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...   HTC TAEJIN 632 16.53 
NE555D Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...   HTC 1 612 12.83 
NE555D Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...   4-7 НЕДЕЛЬ 320 цена радиодетали
NE555D Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...   TAEJIN TECHNOLOGY CO.,LTD Заказ радиодеталей цена радиодетали
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход