Версия для печати

IN74ACT74 (Логические элементы) Dual D Flip-Flop with Set and Reset High-Speed Silicon-Gate CMOS Также в этом файле: IN74ACT74N Производитель: IK Semiconductor //www.iksemi.com 74ACT74N datasheet 166.47Kb 5стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		IRF740		N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF740		N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	VISHAY	4	39.86
		IRF740		N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	ST MICROELECTRONICS
		IRF740		N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А			107.60
		IRF740		N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF740		N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	ST MICROELECTRONICS SEMI
		IRF740		N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	Vishay/Siliconix
		IRF740		N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	STMicroelectronics
		IRF740		N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	КИТАЙ
		IRF740		N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	IR/VISHAY
		IRF740		N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	MINOS	3 896	22.03
		IRF740		N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	5
		MAX4420CPA+		Быстродействующий, 6А, одноканальный драйвер MOSFET	MAXIM
		MAX4420CPA+		Быстродействующий, 6А, одноканальный драйвер MOSFET	MAXIM
		MAX4420CPA+		Быстродействующий, 6А, одноканальный драйвер MOSFET	Maxim Integrated Products
		MAX4420CPA+		Быстродействующий, 6А, одноканальный драйвер MOSFET	MAX
		TC4420EPA		Микросхема. 1х драйвер MOSFET, 6A, 35нс макс.	MICRO CHIP
		TC4420EPA		Микросхема. 1х драйвер MOSFET, 6A, 35нс макс.			277.40
		TC4420EPA		Микросхема. 1х драйвер MOSFET, 6A, 35нс макс.	MICRO CHIP
		TC4420EPA		Микросхема. 1х драйвер MOSFET, 6A, 35нс макс.	Microchip Technology
		TC4420EPA		Микросхема. 1х драйвер MOSFET, 6A, 35нс макс.	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		TC4420EPA		Микросхема. 1х драйвер MOSFET, 6A, 35нс макс.	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		TC4420EPA		Микросхема. 1х драйвер MOSFET, 6A, 35нс макс.	4-7 НЕДЕЛЬ	104
		КТ3102АМ		Унверсальный транзистор NPN 50В, 0,1А, 150 Мгц		4 565	4.42
		КТ3102АМ		Унверсальный транзистор NPN 50В, 0,1А, 150 Мгц	КРЕМНИЙ	2 426	11.00
		КТ3102АМ		Унверсальный транзистор NPN 50В, 0,1А, 150 Мгц	СВЕТЛАНА
		КТ3102АМ		Унверсальный транзистор NPN 50В, 0,1А, 150 Мгц	МИНСК	11 585	12.72
		КТ3102АМ		Унверсальный транзистор NPN 50В, 0,1А, 150 Мгц	БРЯНСК
		КТ3102АМ		Унверсальный транзистор NPN 50В, 0,1А, 150 Мгц	НАЛЬЧИК
		КТ3102АМ		Унверсальный транзистор NPN 50В, 0,1А, 150 Мгц	АЛЕКСАНДРОВ
		КТ3102АМ		Унверсальный транзистор NPN 50В, 0,1А, 150 Мгц	ТРАНЗИСТОР
		КТ3102АМ		Унверсальный транзистор NPN 50В, 0,1А, 150 Мгц	RUS
		КТ3102АМ		Унверсальный транзистор NPN 50В, 0,1А, 150 Мгц	ИНТЕГРАЛ
		КТ3102АМ		Унверсальный транзистор NPN 50В, 0,1А, 150 Мгц	КРЕМН
		КТ3102АМ		Унверсальный транзистор NPN 50В, 0,1А, 150 Мгц	14852
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный		667	11.96
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	ЗПП
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	МИНСК	6 152	16.96
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	ЗПП МИНСК
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	ИНТЕГРАЛ
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	БРЯНСК
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	ИНТЕГРАЛ-С
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	RUS
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	КРЕМНИЙ	800	12.49
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	ТРАНЗИСТОР	3 200	49.59
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	1404
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	348
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	570
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	6000

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"