|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BUT11AF |
|
Транзистор биполярный большой мощности S-N 1000В 5A
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BUT11AF |
|
Транзистор биполярный большой мощности S-N 1000В 5A
|
PHILIPS
|
22
|
136.50
|
|
|
|
BUT11AF |
|
Транзистор биполярный большой мощности S-N 1000В 5A
|
|
11
|
136.08
|
|
|
|
BUT11AF |
|
Транзистор биполярный большой мощности S-N 1000В 5A
|
INCHANG
|
|
|
|
|
|
BUT11AF |
|
Транзистор биполярный большой мощности S-N 1000В 5A
|
UNKNOWN
|
|
|
|
|
|
BUT11AF |
|
Транзистор биполярный большой мощности S-N 1000В 5A
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
BUT11AF |
|
Транзистор биполярный большой мощности S-N 1000В 5A
|
ISCSEMI
|
|
|
|
|
|
BUT11AF |
|
Транзистор биполярный большой мощности S-N 1000В 5A
|
1
|
|
|
|
|
|
IR2153 |
|
Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
8
|
143.64
|
|
|
|
IR2153 |
|
Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A
|
|
2
|
378.00
|
|
|
|
IR2153 |
|
Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
IR2153 |
|
Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IR2153 |
|
Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A
|
1
|
|
|
|
|
|
IR2153 |
|
Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
276
|
|
|
|
|
IRFR024N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=17A@T=25C, Id=12A@T=100C)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFR024N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=17A@T=25C, Id=12A@T=100C)
|
|
7 160
|
13.33
|
|
|
|
IRFR024N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=17A@T=25C, Id=12A@T=100C)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
1 311
|
|
|
|
|
IRFR024N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=17A@T=25C, Id=12A@T=100C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRFR024N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=17A@T=25C, Id=12A@T=100C)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRFR024N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=17A@T=25C, Id=12A@T=100C)
|
1
|
|
|
|
|
|
MUR860G |
|
Ультрабыстрый диод 600V 8A
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MUR860G |
|
Ультрабыстрый диод 600V 8A
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
MUR860G |
|
Ультрабыстрый диод 600V 8A
|
ONS
|
985
|
99.46
|
|
|
|
MUR860G |
|
Ультрабыстрый диод 600V 8A
|
|
|
76.64
|
|
|
|
MUR860G |
|
Ультрабыстрый диод 600V 8A
|
ON SEMICONDUCTOR
|
82
|
|
|
|
|
MUR860G |
|
Ультрабыстрый диод 600V 8A
|
YJ
|
|
|
|
|
|
MUR860G |
|
Ультрабыстрый диод 600V 8A
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
MUR860G |
|
Ультрабыстрый диод 600V 8A
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MUR860G |
|
Ультрабыстрый диод 600V 8A
|
1
|
|
|
|
|
|
SF18 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
SF18 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс
|
MCC
|
|
|
|
|
|
SF18 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс
|
|
246
|
10.08
|
|
|
|
SF18 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс
|
DC COMPONENTS
|
3 128
|
6.32
|
|
|
|
SF18 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс
|
MASTER INSTRUMENT CO
|
|
|
|
|
|
SF18 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
SF18 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс
|
MIC
|
3 718
|
1.85
|
|
|
|
SF18 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
SF18 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс
|
КИТАЙ
|
532
|
9.07
|
|
|
|
SF18 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
SF18 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс
|
YJ
|
|
|
|
|
|
SF18 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
SF18 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс
|
GALAXY ME
|
4 462
|
5.45
|
|
|
|
SF18 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс
|
LGE
|
17 600
|
2.07
|
|
|
|
SF18 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс
|
WUXI XUYANG
|
13 644
|
4.98
|
|
|
|
SF18 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
SF18 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
SF18 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс
|
1
|
|
|
|