MCP42010T-I/SL
|
IC POT DGTL 10K 2CH SPI 14-SOIC |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Число шагов | 256 |
| Сопротивление (Ом) | 10K |
| Число каналов | 2 |
| Температурный коэфициент | 800 ppm/°C Typical |
| Тип памяти | Non-Volatile |
| Интерфейс подключения | 3-Wire Serial (Chip Select) |
| Напряжение питания | 2.7 V ~ 5.5 V |
| Рабочая температура | -40°C ~ 125°C |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 14-SOIC |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 293D226X9020B2TE3 |
|
Электролитический танталовый конденсатор 22 мкФ 20 В | VISHAY |
|
|
|||
| 293D226X9020B2TE3 |
|
Электролитический танталовый конденсатор 22 мкФ 20 В | Vishay/Sprague |
|
|
|||
| 293D226X9020B2TE3 |
|
Электролитический танталовый конденсатор 22 мкФ 20 В |
|
|
||||
| CL21B105KBFNNNE | SAM |
|
|
|||||
| CL21B105KBFNNNE |
|
|
||||||
| CL21B105KBFNNNE | SAMSUNG | 2 234 498 |
1.04 >100 шт. 0.52 |
|||||
| CL21B105KBFNNNE | SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS |
|
|
|||||
| RC0805FR-072KL | YAGEO | 984 | 7.23 | |||||
| RC0805FR-072KL | YAGEO | 13 912 |
|
|||||
| RC0805FR-072KL | 4 000 |
|
||||||
| RC0805FR-073K6L |
|
20.00 | ||||||
| RC0805FR-073K6L | YAGEO | 87 953 |
0.55 >1000 шт. 0.11 |
|||||
| RC0805FR-073K6L | YAGEO |
|
|
|||||
| STM32F103VET6 | 419 | 256.94 | ||||||
| STM32F103VET6 | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|||||
| STM32F103VET6 | STMicroelectronics |
|
|
|||||
| STM32F103VET6 | КОРЕЯ РЕСПУБЛИК |
|
|
|||||
| STM32F103VET6 | ST MICROELECTRONICS SEMI | 646 |
|
|||||
| STM32F103VET6 | 4-7 НЕДЕЛЬ | 658 |
|
