| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | STM32 |
| Процессор | ARM® Cortex-M3™ |
| Размер ядра | 32-Bit |
| Скорость | 32MHz |
| Подключения | I²C, IrDA, LIN, SPI, UART/USART, USB |
| Периферия | Brown-out Detect/Reset, DMA, I²S, POR, PWM, WDT |
| Число вводов/выводов | 51 |
| Размер программируемой памяти | 128KB (128K x 8) |
| Тип программируемой памяти | FLASH |
| Размер памяти | 16K x 8 |
| Напряжение источника (Vcc/Vdd) | 1.65 V ~ 3.6 V |
| Преобразователи данных | A/D 20x12b; D/A 2x12b |
| Тип осцилятора | Internal |
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
| Корпус (размер) | 64-LQFP |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
 |
BC807 |
|
Транзистор PNP 45В, 500mA, 80MHz
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BC807 |
|
Транзистор PNP 45В, 500mA, 80MHz
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BC807 |
|
Транзистор PNP 45В, 500mA, 80MHz
|
|
|
|
|
|
|
|
BC807 |
|
Транзистор PNP 45В, 500mA, 80MHz
|
NXP
|
7 915
|
|
|
|
|
|
BC807 |
|
Транзистор PNP 45В, 500mA, 80MHz
|
PHILIPS
|
31 262
|
|
|
|
|
|
BC807 |
|
Транзистор PNP 45В, 500mA, 80MHz
|
MULTICOMP
|
462
|
6.11
|
|
|
|
|
BC807 |
|
Транзистор PNP 45В, 500mA, 80MHz
|
JSCJ
|
140 094
|
1.33
|
|
 |
|
BC817 |
|
Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BC817 |
|
Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BC817 |
|
Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц
|
|
|
4.20
|
|
|
|
|
BC817 |
|
Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц
|
KEMET
|
|
|
|
|
|
|
BC817 |
|
Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц
|
NXP
|
626
|
|
|
|
|
|
BC817 |
|
Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц
|
PHILIPS
|
18 448
|
|
|
|
|
|
BC817 |
|
Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
|
BC817 |
|
Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц
|
JSCJ
|
92 349
|
1.25
|
|
|
|
|
BC817 |
|
Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц
|
TOP DIODE
|
81 600
|
1.05
|
|
|
|
|
BL01RN1A1D2B |
|
индуктивность для подавления ЭМП
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
|
BL01RN1A1D2B |
|
индуктивность для подавления ЭМП
|
|
|
17.00
|
|
|
|
|
BL01RN1A1D2B |
|
индуктивность для подавления ЭМП
|
Murata Electronics North America
|
|
|
|
|
|
|
BL01RN1A1D2B |
|
индуктивность для подавления ЭМП
|
MUR
|
|
|
|
|
|
|
HCM1203X |
|
Пьезоизлучатель - генератор звука 3В, 2300кГц, 85дБ,12*9,5 мм
|
JLW
|
19 708
|
54.43
|
|
|
|
|
HCM1203X |
|
Пьезоизлучатель - генератор звука 3В, 2300кГц, 85дБ,12*9,5 мм
|
|
31 461
|
23.73
|
|
|
|
|
HCM1203X |
|
Пьезоизлучатель - генератор звука 3В, 2300кГц, 85дБ,12*9,5 мм
|
JL WORLD
|
5 840
|
71.29
|
|
|
|
|
HCM1203X |
|
Пьезоизлучатель - генератор звука 3В, 2300кГц, 85дБ,12*9,5 мм
|
HXD
|
|
|
|
|
|
|
HCM1203X |
|
Пьезоизлучатель - генератор звука 3В, 2300кГц, 85дБ,12*9,5 мм
|
SHAINOR
|
|
|
|
|
|
|
HCM1203X |
|
Пьезоизлучатель - генератор звука 3В, 2300кГц, 85дБ,12*9,5 мм
|
RUICHI
|
26 184
|
21.28
|
|
|
|
|
T491B106K010AT |
|
Электролитический танталовый конденсатор 10 мкФ 10 В
|
KEMET
|
7 569
|
19.31
|
|
|
|
|
T491B106K010AT |
|
Электролитический танталовый конденсатор 10 мкФ 10 В
|
|
|
10.56
|
|
|
|
|
T491B106K010AT |
|
Электролитический танталовый конденсатор 10 мкФ 10 В
|
KEMET
|
|
|
|
|
|
|
T491B106K010AT |
|
Электролитический танталовый конденсатор 10 мкФ 10 В
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
|
T491B106K010AT |
|
Электролитический танталовый конденсатор 10 мкФ 10 В
|
KEM
|
|
|
|
Версия для печати
