Версия для печати
Технические характеристики NE5532ADRG4

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Тип усилителя	General Purpose
Число каналов	2
Скорость нарастания выходного напряжения	9 V/µs
Полоса пропускания	10MHz
Ток - входного смещения	200nA
Напряжение входного смещения	500µV
Ток выходной	8mA
Ток выходной / канал	38mA
Напряжение-выходное, Single/Dual (±)	±5 V ~ 15 V
Рабочая температура	0°C ~ 70°C
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SOIC

NE5532ADRG4 datasheet

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Обработка сигналов

 » 

Усилители

 » 

Операционные, буферные усилители

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	MICRO SEMICONDUCTOR
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	DC COMPONENTS	222 055	1.17
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	DIC
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	VISHAY
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	DIOTEC	13	1.90  >100 шт.   0.95
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт		38 511	1.29  >500 шт.   0.43
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	VISHAY
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	UTC
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	KINGTRONICS
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	KINGTRON
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	TSC
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	YJ	946 169	1.55
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	HOTTECH	326 181	0.96  >500 шт.   0.32
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	YANGJIE
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	YANGJIE (YJ)
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	0.00
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	KLS	15 200	2.07
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	JSCJ	235 760	1.14  >100 шт.   0.57
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	1
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	JINGDAO
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	MDD	81 952	0.90  >500 шт.   0.30
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	JSMICRO	88 784	1.17  >500 шт.   0.39
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	XXW	818	1.02  >500 шт.   0.34
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	KEEN SIDE	318	1.32  >500 шт.   0.44
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	MERRYELC
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	ST MICROELECTRONICS	64	1.06
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	988
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	RUME	38 400	1.11  >500 шт.   0.37
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	TRR	235 196	1.26  >500 шт.   0.42
		BC847		маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...	PHILIPS
		BC847		маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...	NXP	801	8.59
		BC847		маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...
		BC847		маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...	PHILIPS
		BC847		маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...	NXP	2 459
		BC847		маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...	CDIL
		BC847		маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...	SHIKUES	12 971	1.50  >100 шт.   0.75
		BC847		маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...	JSCJ	872 576	1.60  >100 шт.   0.80
		BC857		маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...	PHILIPS
		BC857		маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...	NXP
		BC857		маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...	PHILIPS
		BC857		маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...	NXP	10 484
		BC857		маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...		1 796	5.52
		BC857		маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...	MULTICOMP
		BC857		маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...	JSCJ	603 419	1.04  >100 шт.   0.52
		BFS17A		Транзистор NPN широкополосный (Uce=25V, Ic=25mA, Ft=2.8GHz, G=13.5dB@800MHz, NF=2.5dB, ...	NXP
		BFS17A		Транзистор NPN широкополосный (Uce=25V, Ic=25mA, Ft=2.8GHz, G=13.5dB@800MHz, NF=2.5dB, ...	PHILIPS
		BFS17A		Транзистор NPN широкополосный (Uce=25V, Ic=25mA, Ft=2.8GHz, G=13.5dB@800MHz, NF=2.5dB, ...	INFINEON
		BFS17A		Транзистор NPN широкополосный (Uce=25V, Ic=25mA, Ft=2.8GHz, G=13.5dB@800MHz, NF=2.5dB, ...			10.84
		BFS17A		Транзистор NPN широкополосный (Uce=25V, Ic=25mA, Ft=2.8GHz, G=13.5dB@800MHz, NF=2.5dB, ...	NXP	230
		BFS17A		Транзистор NPN широкополосный (Uce=25V, Ic=25mA, Ft=2.8GHz, G=13.5dB@800MHz, NF=2.5dB, ...	PHILIPS	92
		BFS17A		Транзистор NPN широкополосный (Uce=25V, Ic=25mA, Ft=2.8GHz, G=13.5dB@800MHz, NF=2.5dB, ...	КИТАЙ
		FM25L16B-GTR			RAMTRON
		FM25L16B-GTR			CYPRESS SEMICONDUCTOR	1	447.60
		FM25L16B-GTR			RAM
		FM25L16B-GTR			CYPR
		FM25L16B-GTR			CYP
		FM25L16B-GTR				772	121.94
		FM25L16B-GTR			CYPRESS
		FM25L16B-GTR			0.00
		FM25L16B-GTR			CYPRESS	1	123.98
		FM25L16B-GTR			INFINEON	1	98.15

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"