FQP11P06

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
FQP11P06	1	396.90

Версия для печати

Технические характеристики FQP11P06

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	QFET™
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	175 mOhm @ 5.7A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	11.4A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	17nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	550pF @ 25V
Power - Max	53W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BT151-800R	Тиристор SCR 800В, 7.5A, 15мА	NXP	1 115	46.64
BT151-800R	Тиристор SCR 800В, 7.5A, 15мА		44	15.89
BT151-800R	Тиристор SCR 800В, 7.5A, 15мА	PHILIPS
BT151-800R	Тиристор SCR 800В, 7.5A, 15мА	КИТАЙ
BT151-800R	Тиристор SCR 800В, 7.5A, 15мА	3
BT151-800R	Тиристор SCR 800В, 7.5A, 15мА	903
IRF7389	Транзистор полевой SMD P/N-MOS 30V, -5.3/7.3A, 2.5W	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF7389	Транзистор полевой SMD P/N-MOS 30V, -5.3/7.3A, 2.5W		2	635.04
IRF7389	Транзистор полевой SMD P/N-MOS 30V, -5.3/7.3A, 2.5W	INTERNATIONAL RECTIFIER	204
IRF7389	Транзистор полевой SMD P/N-MOS 30V, -5.3/7.3A, 2.5W	ТАИЛАНД
IRF7389	Транзистор полевой SMD P/N-MOS 30V, -5.3/7.3A, 2.5W	INFINEON
IRF7389	Транзистор полевой SMD P/N-MOS 30V, -5.3/7.3A, 2.5W	1
IRF7389	Транзистор полевой SMD P/N-MOS 30V, -5.3/7.3A, 2.5W	EVVO	6 590	5.81
IRF7389TR		INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF7389TR		INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF7389TR
IRF7389TR		INFINEON
SN74LVC06AD		TEXAS INSTRUMENTS
SN74LVC06AD
SN74LVC06AD		TEXAS INSTRUMENTS
SN74LVC06AD
SN74LVC06AD		TEXAS
SN74LVC06AD		4-7 НЕДЕЛЬ	607
STRA6259H		SANKEN
STRA6259H		SK
STRA6259H			1	219.24
STRA6259H		4-7 НЕДЕЛЬ	568