SI4800BDY-T1-E3
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | TrenchFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18.5 mOhm @ 9A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 6.5A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.8V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 13nC @ 5V |
| Power - Max | 1.3W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SOICN |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
ЧИП 0805 200 5% |
|
ЧИП — резистор (бескорпусный толстопленочный) 200Ом, 5%, 0,125Вт | YAGEO |
|
|
|
|
|
|
ЧИП 0805 200 5% |
|
ЧИП — резистор (бескорпусный толстопленочный) 200Ом, 5%, 0,125Вт | ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) |
|
|
|
|
|
|
ЧИП 0805 200 5% |
|
ЧИП — резистор (бескорпусный толстопленочный) 200Ом, 5%, 0,125Вт | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
|
| ISL6251AHAZ-T | INTERSIL |
|
|
|||||
| ISL6251AHAZ-T | INTERSIL | 444 |
|
|||||
| SI4810BDY-T1-E3 | SILICONIX |
|
|
|||||
| SI4810BDY-T1-E3 | SILICONIX |
|
|
|||||
| TPS51120RHBR | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
|||||
| TPS51120RHBR |
|
1 227.60 | ||||||
| TPS51120RHBR | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
|||||
| TPS51120RHBR | TEXAS |
|
|
|||||
| TPS51120RHBR | 4-7 НЕДЕЛЬ | 320 |
|
