ISL6251AHAZ-T
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Функция | Charge Management |
| Тип батареи | Li-Ion, Li-Pol, NiMH |
| Напряжение питания | 7 V ~ 25 V |
| Рабочая температура | -10°C ~ 100°C |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 24-SSOP (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 24-QSOP |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BQ24703RHDR | BENCHMARQ MICROELECTRONICS |
|
|
|||||
| BQ24703RHDR | BENCHMARQ MICROELECTRONICS |
|
|
|||||
| BQ24703RHDR | Texas Instruments |
|
|
|||||
| BQ24703RHDR |
|
|
||||||
| BQ24703RHDR | 4-7 НЕДЕЛЬ | 703 |
|
|||||
| DRV8800PWPR | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
|||||
| DRV8800PWPR |
|
|
||||||
| DRV8800PWPR | TEXAS |
|
|
|||||
| DRV8800PWPR | 4-7 НЕДЕЛЬ | 705 |
|
|||||
| K9F1G08U0C-PCB0 |
|
Память FLASH (64Mx8bit) | SAMSUNG |
|
|
|||
| K9F1G08U0C-PCB0 |
|
Память FLASH (64Mx8bit) | SAM |
|
|
|||
| K9F1G08U0C-PCB0 |
|
Память FLASH (64Mx8bit) | SAMSUNG |
|
|
|||
| K9F1G08U0C-PCB0 |
|
Память FLASH (64Mx8bit) |
|
|
||||
| K9F1G08U0C-PCB0 |
|
Память FLASH (64Mx8bit) | 4-7 НЕДЕЛЬ | 544 |
|
|||
 |
 |
LPC1768FBD100,551 |
|
NXP Semiconductors |
|
|
||
|
|
|
LPC1768FBD100,551 |
|
NXP |
|
|
||
|
|
|
LPC1768FBD100,551 |
|
NXP | 4 |
|
||
|
|
|
LPC1768FBD100,551 |
|
42 | 980.95 | |||
| SI4800BDY-T1-E3 | SILICONIX |
|
|
|||||
| SI4800BDY-T1-E3 | SILICONIX | 13 172 |
|
|||||
| SI4800BDY-T1-E3 | Vishay/Siliconix |
|
|
|||||
| SI4800BDY-T1-E3 |
|
201.60 | ||||||
| SI4800BDY-T1-E3 | VISHAY |
|
|
