Версия для печати
Технические характеристики SN74ALS165D

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	74ALS
Логический тип	Shift Register
Тип выхода	Differential
Число элементов	1
Число битов на элемент	8
Функция	Parallel or Serial to Serial
Напряжение питания	4.5 V ~ 5.5 V
Рабочая температура	0°C ~ 70°C
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	16-SOIC N
Output Type	Differential

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Логические элементы

 » 

Сдвиговые регистры

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		SN74HC165PW			Texas Instruments
		SN74HC165PW				4	55.60
		SN74HC165PW			TEXAS
		SN74HC165PW			4-7 НЕДЕЛЬ	471
		EP2C8T144C8N		Плис семейства Cyclone II, 8256 вентилей, 85 линий ввода/вывода, 165888 bits RAM, ...	ALTERA
		EP2C8T144C8N		Плис семейства Cyclone II, 8256 вентилей, 85 линий ввода/вывода, 165888 bits RAM, ...	ALT
		EP2C8T144C8N		Плис семейства Cyclone II, 8256 вентилей, 85 линий ввода/вывода, 165888 bits RAM, ...	ALTERA	516
		EP2C8T144C8N		Плис семейства Cyclone II, 8256 вентилей, 85 линий ввода/вывода, 165888 bits RAM, ...			2 180.00
		EP2C8T144C8N		Плис семейства Cyclone II, 8256 вентилей, 85 линий ввода/вывода, 165888 bits RAM, ...	4-7 НЕДЕЛЬ	672
		MM74HC595MTC			FAIR
		MM74HC595MTC			FAIRCHILD
		MM74HC595MTC			FAIRCHILD
		MM74HC595MTC			Fairchild Semiconductor
		MM74HC595MTC
		MM74HC595MTC			ONS
		MM74HC595MTC			4-7 НЕДЕЛЬ	27
		TPS62007DGS		Имп. пониж. рег. напряжен. 2 ~ 5.5 V 3.3V 600mA 555mW , t=--40°C ~ 85°C	TEXAS INSTRUMENTS
		TPS62007DGS		Имп. пониж. рег. напряжен. 2 ~ 5.5 V 3.3V 600mA 555mW , t=--40°C ~ 85°C			399.24
		TPS62007DGS		Имп. пониж. рег. напряжен. 2 ~ 5.5 V 3.3V 600mA 555mW , t=--40°C ~ 85°C	TEXAS INSTRUMENTS
		TPS62007DGS		Имп. пониж. рег. напряжен. 2 ~ 5.5 V 3.3V 600mA 555mW , t=--40°C ~ 85°C	TEXAS
		TPS62007DGS		Имп. пониж. рег. напряжен. 2 ~ 5.5 V 3.3V 600mA 555mW , t=--40°C ~ 85°C	4-7 НЕДЕЛЬ	246
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный		560	11.96
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	ЗПП
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	МИНСК	6 203	16.96
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	ЗПП МИНСК
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	ИНТЕГРАЛ
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	БРЯНСК	278	8.48
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	ИНТЕГРАЛ-С
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	RUS
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	КРЕМНИЙ	800	12.49
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	ТРАНЗИСТОР	3 200	49.59
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	1404
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	348
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	570
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	6000

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"