|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
DC COMPONENTS
|
23 021
|
3.13
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
NXP
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
UTC
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
CHENMKO ENTERPRISE CO, LTD
|
140
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
FAIRCHILD
|
1 805
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
PHILIPS
|
6
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
SILICONIX
|
92
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
ZETEX
|
364
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
NXP
|
486
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
SILICON POWER
|
128
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
POWERSILICON INCORPORATED
|
140
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
GALAXY
|
1 073
|
3.14
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
3
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
|
47 984
|
1.21
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
FSC
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
ONS
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
ON SEMICONDUCTOR
|
800
|
15.30
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
PHILIPS
|
80
|
15.30
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
NEXPERIA
|
121
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
LRC
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
HOTTECH
|
10
|
2.22
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
KLS
|
18 322
|
2.37
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
LGE
|
4
|
2.26
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
YJ
|
266 195
|
1.25
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
KOME
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
DIOTEC
|
87 175
|
3.17
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
JANGJIE
|
736
|
4.80
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
YOUTAI
|
41 919
|
1.16
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
ASEMI
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
UMW-YOUTAI
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
CJ
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
UWM
|
150
|
1.38
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
SUNTAN
|
148 756
|
1.90
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
SHIKUES
|
|
|
|
|
|
74HC595D,118 |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
74HC595D,118 |
|
|
NXP Semiconductors
|
|
|
|
|
|
74HC595D,118 |
|
|
NEX
|
|
|
|
|
|
74HC595D,118 |
|
|
|
|
|
|
|
|
74HC595D,118 |
|
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
74HC595D,118 |
|
|
NXP/NEXPERIA
|
1 691
|
12.36
|
|
|
|
BC847 |
|
маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC847 |
|
маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...
|
NXP
|
800
|
6.63
|
|
|
|
BC847 |
|
маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...
|
|
|
|
|
|
|
BC847 |
|
маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC847 |
|
маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...
|
NXP
|
3 073
|
|
|
|
|
BC847 |
|
маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...
|
CDIL
|
|
|
|
|
|
BC847 |
|
маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...
|
SHIKUES
|
9 231
|
1.09
|
|
|
|
BC847 |
|
маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...
|
JSCJ
|
1 103 702
|
1.24
|
|
|
|
BC857 |
|
маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC857 |
|
маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC857 |
|
маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC857 |
|
маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...
|
NXP
|
13 978
|
|
|
|
|
BC857 |
|
маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...
|
|
339
|
5.25
|
|
|
|
BC857 |
|
маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
BC857 |
|
маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...
|
JSCJ
|
726 564
|
1.30
|
|
|
|
К155ЛН3 |
|
SN7406N
|
ЗПП
|
|
|
|
|
|
К155ЛН3 |
|
SN7406N
|
|
|
23.04
|
|
|
|
К155ЛН3 |
|
SN7406N
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
К155ЛН3 |
|
SN7406N
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
К155ЛН3 |
|
SN7406N
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
К155ЛН3 |
|
SN7406N
|
АЗОН
|
|
|
|
|
|
К155ЛН3 |
|
SN7406N
|
RUS
|
|
|
|
|
|
К155ЛН3 |
|
SN7406N
|
МИКРОН
|
4
|
85.61
|
|