Версия для печати
Технические характеристики DDTA114ECA-7

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Transistor Type	PNP - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V
Resistor - Base (R1) (Ohms)	10K
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms)	10K
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	30 @ 5mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 500µA, 10mA
Frequency - Transition	250MHz
Power - Max	200mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	SOT-23-3

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (биполярные) - одиночные, со встроенными резисторами

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BC846B		Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450		1 580	7.56
		BC846B		Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	NXP
		BC846B		Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	PHILIPS	800	7.56
		BC846B		Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	FAIR
		BC846B		Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	DC COMPONENTS	9 328	2.07
		BC846B		Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	DIOTEC	313	1.75
		BC846B		Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	INFINEON
		BC846B		Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	ON SEMICONDUCTOR
		BC846B		Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	FAIRCHILD
		BC846B		Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	ONS
		BC846B		Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	FAIRCHILD	3 596
		BC846B		Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	NXP	3 281
		BC846B		Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	PHILIPS	6 583
		BC846B		Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	Fairchild Semiconductor
		BC846B		Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	PHILIPS SEMIC
		BC846B		Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	GALAXY
		BC846B		Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	КИТАЙ
		BC846B		Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		BC846B		Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		BC846B		Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	KINGTRON
		BC846B		Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	GALAXY ME
		BC846B		Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	YJ	1 017 808	1.17
		BC846B		Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	SEMTECH
		BC846B		Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	MULTICOMP
		BC846B		Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	LRC
		BC846B		Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	HOTTECH	997 768	1.54  >100 шт.   0.77
		BC846B		Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	KLS
		BC846B		Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	KOME	10	1.97
		BC846B		Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	SUNTAN	127 545	1.38  >100 шт.   0.69
		BC846B		Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	NEX-NXP
		BC846B		Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	YANGJIE
		BC846B		Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	YANGJIE (YJ)
		BC846B		Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	TRR	43 538	1.20  >500 шт.   0.40
		BC846B		Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	JINGDAO	137 710	1.12  >100 шт.   0.56
		BC846B		Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	XXW	285 201	1.34  >100 шт.   0.67
		BC846B		Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	YANGZHOU YANGJIE	21 097	2.83
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	NXP	2 904	2.10
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	PHILIPS
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	FAIR
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	GENERAL SEMICONDUCTOR
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	DC COMPONENTS	8 037	2.18
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	ON SEMICONDUCTOR
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	DIOTEC	35 563	3.79
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	ES
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	FAIRCHILD
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	GALAXY
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	FAIRCHILD
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	GENERAL SEMICONDUCTOR
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	NXP
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	PHILIPS	486
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	STMicroelectronics
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	PHILIPS SEMIC
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	КИТАЙ
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	INFINEON TECH
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	ON SEMIC
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	GALAXY ME
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	HOTTECH	509 955	1.64  >100 шт.   0.82
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...		45 325	1.52  >100 шт.   0.76
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	LRC
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	KLS
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	KOME	1	1.63
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	SUNTAN	4 572	1.64  >100 шт.   0.82
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	YANGJIE (YJ)
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	NEX-NXP	112	3.10
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	YJ	127 661	2.07
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	TRR	67 200	1.29  >500 шт.   0.43
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	XXW	196 148	1.34  >100 шт.   0.67
		D15XB60-7000					209.20
		D15XB60-7000			SHINDENGEN
		FGH50N3(PRFMD)			FAIR
		GT35J321		Биполярный транзистор	TOSHIBA
		GT35J321		Биполярный транзистор	TOS
		GT35J321		Биполярный транзистор			1 720.00

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"