|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
|
61 971
|
1.12
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
PHILIPS
|
800
|
7.56
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
GALAXY
|
8 313
|
1.16
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
OTHER
|
12 800
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
PHILIPS
|
1 424
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
NXP
|
7 139
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
YJ
|
485 352
|
1.17
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
HOTTECH
|
265 712
|
1.60
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
SEMTECH
|
4
|
2.71
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
YOUTAI
|
40 464
|
1.92
>100 шт. 0.96
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
ZH
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
ASEMI
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
TRR
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
YIXING
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
1
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
SUNTAN
|
486 475
|
1.03
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
SHIKUES
|
12 164
|
1.67
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
9 506
|
1.72
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
|
1 660
|
7.56
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
PHILIPS
|
800
|
7.56
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
DC COMPONENTS
|
9 936
|
2.00
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
DIOTEC
|
313
|
1.69
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
FAIRCHILD
|
3 596
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
NXP
|
3 281
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
PHILIPS
|
6 583
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
YJ
|
1 076 711
|
1.16
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
HOTTECH
|
627 519
|
1.38
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
KOME
|
10
|
1.94
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
SUNTAN
|
281 721
|
1.38
>100 шт. 0.69
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
NEX-NXP
|
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
TRR
|
46 282
|
1.06
>100 шт. 0.53
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
JINGDAO
|
137 734
|
1.16
>100 шт. 0.58
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
XXW
|
398 400
|
1.34
>100 шт. 0.67
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
NXP
|
2 904
|
2.10
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
DC COMPONENTS
|
13 796
|
2.14
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
DIOTEC
|
35 563
|
3.11
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
ES
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
PHILIPS
|
486
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
ON SEMIC
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
HOTTECH
|
495 532
|
1.62
>100 шт. 0.81
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
|
45 726
|
1.52
>100 шт. 0.76
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
KOME
|
1
|
1.60
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
SUNTAN
|
6 235
|
1.64
>100 шт. 0.82
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
NEX-NXP
|
112
|
3.10
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
YJ
|
140 924
|
2.07
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
TRR
|
79 200
|
1.41
>500 шт. 0.47
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
XXW
|
189 287
|
1.34
>100 шт. 0.67
|
|
|
|
D15XB60-7000 |
|
|
|
|
209.20
|
|
|
|
D15XB60-7000 |
|
|
SHINDENGEN
|
|
|
|
|
|
GT35J321 |
|
Биполярный транзистор
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
GT35J321 |
|
Биполярный транзистор
|
TOS
|
|
|
|
|
|
GT35J321 |
|
Биполярный транзистор
|
|
|
1 720.00
|
|