| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
ADR441ARZ |
|
Precision Low Dropout Ultra-low Noise
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
|
ADR441ARZ |
|
Precision Low Dropout Ultra-low Noise
|
|
|
|
|
|
|
|
ADR441ARZ |
|
Precision Low Dropout Ultra-low Noise
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
|
ADR441ARZ |
|
Precision Low Dropout Ultra-low Noise
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
|
ADR441ARZ |
|
Precision Low Dropout Ultra-low Noise
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
25
|
|
|
|
|
|
ADR441ARZ |
|
Precision Low Dropout Ultra-low Noise
|
ADI
|
|
|
|
|
|
|
B130LAW-7-F |
|
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
|
B130LAW-7-F |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
B130LAW-7-F |
|
|
DIODES INC.
|
53
|
|
|
|
|
|
B130LAW-7-F |
|
|
Diodes Inc
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
|
40 600
|
3.20
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
HOTTECH
|
247 161
|
2.58
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
HUASHUO
|
17 883
|
5.30
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
KLS
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
YOUTAI
|
169
|
2.03
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
UMW
|
8 000
|
3.10
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
SUNTAN
|
22 344
|
4.99
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
KEEN SIDE
|
11 404
|
2.21
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
2386
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
KEXIN
|
7 200
|
2.81
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
RUME
|
91 200
|
3.16
|
|
|
|
|
MAX1703ESE |
|
|
MAXIM
|
|
|
|
|
|
|
MAX1703ESE |
|
|
MAX
|
|
|
|
|
|
|
MAX1703ESE |
|
|
|
|
922.12
|
|
|
|
|
MAX1703ESE |
|
|
MAXIM
|
|
|
|
|
|
|
MAX1703ESE |
|
|
Maxim Integrated Products
|
|
|
|
|
|
|
MAX1703ESE |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
168
|
|
|
|
|
|
TCA0372DP1G |
|
ИМС
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
TCA0372DP1G |
|
ИМС
|
|
|
109.20
|
|
|
|
|
TCA0372DP1G |
|
ИМС
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
TCA0372DP1G |
|
ИМС
|
ON SEMIC
|
|
|
|
|
|
|
TCA0372DP1G |
|
ИМС
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
|
TCA0372DP1G |
|
ИМС
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
TCA0372DP1G |
|
ИМС
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
260
|
|
|