|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BFP196WNH6327XTSA1 |
|
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BFP196WNH6327XTSA1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
|
40 800
|
3.15
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
HOTTECH
|
160 823
|
2.04
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
HUASHUO
|
11 339
|
5.48
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
KLS
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
YOUTAI
|
69 630
|
2.98
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
UMW
|
8 000
|
3.10
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
SUNTAN
|
21 912
|
5.63
|
|
|
|
LM319N |
|
Компаpатоp сдвоенный +-18V 80ns
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM319N |
|
Компаpатоp сдвоенный +-18V 80ns
|
SIGNETICS
|
|
|
|
|
|
LM319N |
|
Компаpатоp сдвоенный +-18V 80ns
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
LM319N |
|
Компаpатоp сдвоенный +-18V 80ns
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
LM319N |
|
Компаpатоp сдвоенный +-18V 80ns
|
|
2
|
75.60
|
|
|
|
LM319N |
|
Компаpатоp сдвоенный +-18V 80ns
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
LM319N |
|
Компаpатоp сдвоенный +-18V 80ns
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
LM319N |
|
Компаpатоp сдвоенный +-18V 80ns
|
SIGNETICS
|
|
|
|
|
|
LM319N |
|
Компаpатоp сдвоенный +-18V 80ns
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
LM319N |
|
Компаpатоp сдвоенный +-18V 80ns
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
LM319N |
|
Компаpатоp сдвоенный +-18V 80ns
|
NATIONAL SEMIC
|
|
|
|
|
|
LM319N |
|
Компаpатоp сдвоенный +-18V 80ns
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
LM319N |
|
Компаpатоp сдвоенный +-18V 80ns
|
ONS
|
|
|
|
|
|
LM319N |
|
Компаpатоp сдвоенный +-18V 80ns
|
1
|
|
|
|
|
|
LM319N |
|
Компаpатоp сдвоенный +-18V 80ns
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
623
|
|
|
|
|
TCA0372DP1G |
|
ИМС
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
TCA0372DP1G |
|
ИМС
|
|
|
109.20
|
|
|
|
TCA0372DP1G |
|
ИМС
|
ONS
|
|
|
|
|
|
TCA0372DP1G |
|
ИМС
|
ON SEMIC
|
|
|
|
|
|
TCA0372DP1G |
|
ИМС
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
TCA0372DP1G |
|
ИМС
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
TCA0372DP1G |
|
ИМС
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
260
|
|
|
|
|
СП5-2В - 1 ВТ 1.5 КОМ |
|
|
|
|
|
|