|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
|
40 800
|
3.60
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
HOTTECH
|
170 958
|
2.82
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
HUASHUO
|
19 470
|
5.03
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
KLS
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
YOUTAI
|
105 298
|
2.73
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
UMW
|
8 000
|
3.10
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
SUNTAN
|
29 946
|
8.14
|
|
|
|
LM358 |
|
Низкопотребляющий двухканальный операционный усилитель
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
LM358 |
|
Низкопотребляющий двухканальный операционный усилитель
|
|
23 680
|
2.42
|
|
|
|
LM358 |
|
Низкопотребляющий двухканальный операционный усилитель
|
МИКРОН
|
|
|
|
|
|
LM358 |
|
Низкопотребляющий двухканальный операционный усилитель
|
|
23 680
|
2.42
|
|
|
|
LM358 |
|
Низкопотребляющий двухканальный операционный усилитель
|
HOTTECH
|
38 320
|
5.30
|
|
|
|
LM358 |
|
Низкопотребляющий двухканальный операционный усилитель
|
JSMICRO
|
73
|
2.36
|
|
|
|
LM358 |
|
Низкопотребляющий двухканальный операционный усилитель
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
754
|
|
|
|
|
LM358(DIP-8) |
|
Двухканальный операционный усилитель
|
|
|
|
|
|
|
LM358(DIP-8) |
|
Двухканальный операционный усилитель
|
PH / NXP
|
|
|
|
|
|
LM358(DIP-8) |
|
Двухканальный операционный усилитель
|
PH/NXP
|
14
|
15.97
|
|
|
|
RLB0712-100KL |
|
Индуктивность 10мкГн, 1100mA, 6,7x10mm, 10%
|
BOURNS
|
2 273
|
31.65
|
|
|
|
RLB0712-100KL |
|
Индуктивность 10мкГн, 1100mA, 6,7x10mm, 10%
|
|
|
66.00
|
|
|
|
STM809SWX6F |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
1 203
|
29.11
|
|
|
|
STM809SWX6F |
|
|
|
|
52.00
|
|
|
|
STM809SWX6F |
|
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
STM809SWX6F |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
STM809SWX6F |
|
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
STM809SWX6F |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
702
|
|
|