MAX668EUB+T
|
|
Версия для печати
| Корпус (размер) | 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
| Isolated | Да |
| Cuk | Нет |
| Divider | Нет |
| Doubler | Нет |
| Inverting | Нет |
| Flyback | Да |
| Boost | Да |
| Buck | Нет |
| Напряжение питания | 3 V ~ 28 V |
| Duty Cycle | 94% |
| Частота -макс. | 575kHz |
| Число выходов | 1 |
| PWM Type | Current Mode |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
BZV55C13 |
|
Стабилитрон импортный 13В, кремниевй для SMDмонтажа, 5% | NXP |
|
|
|
|
|
|
BZV55C13 |
|
Стабилитрон импортный 13В, кремниевй для SMDмонтажа, 5% | 88 104 |
1.50 >500 шт. 0.50 |
||
|
|
|
BZV55C13 |
|
Стабилитрон импортный 13В, кремниевй для SMDмонтажа, 5% | SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD | 35 | 1.74 | |
|
|
|
BZV55C13 |
|
Стабилитрон импортный 13В, кремниевй для SMDмонтажа, 5% | HOTTECH |
|
|
|
|
|
|
BZV55C13 |
|
Стабилитрон импортный 13В, кремниевй для SMDмонтажа, 5% | XXW | 10 880 |
1.32 >100 шт. 0.66 |
|
| HV9961LG-G | SUP |
|
|
|||||
| HV9961LG-G | 2 148 | 152.04 | ||||||
| HV9961LG-G | MICRO CHIP | 128 | 405.12 | |||||
| HV9961LG-G | SUPERTEX |
|
|
|||||
| HV9961LG-G | 4-7 НЕДЕЛЬ | 367 |
|
|||||
 |
|
IRL630S |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (200V, 9A, 74W Logic-Level) | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRL630S |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (200V, 9A, 74W Logic-Level) | VISHAY |
|
|
|
|
|
|
IRL630S |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (200V, 9A, 74W Logic-Level) |
|
115.36 | ||
|
|
|
IRL630S |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (200V, 9A, 74W Logic-Level) | Vishay/Siliconix |
|
|
|
| SRR1208-220ML22UHM | BOURNS |
|
|
|||||
| SRR1208-220ML22UHM | 0.00 |
|
|
|||||
|
|
US1D | DIC |
|
|
||||
|
|
US1D | SMK | 11 | 10.22 | ||||
|
|
US1D | GENERAL SEMICONDUCTOR |
|
|
||||
|
|
US1D | LITE ON OPTOELECTRONICS |
|
|
||||
|
|
US1D | DC COMPONENTS | 6 721 | 1.86 | ||||
|
|
US1D | DIOTEC |
|
|
||||
|
|
US1D | SEMICRON |
|
|
||||
|
|
US1D | 14 000 |
1.56 >100 шт. 0.78 |
|||||
|
|
US1D | GENERAL SEMICONDUCTOR | 4 400 |
|
||||
|
|
US1D | LITE ON OPTOELECTRONICS |
|
|
||||
|
|
US1D | YJ | 70 895 |
1.52 >100 шт. 0.76 |
||||
|
|
US1D | КИТАЙ |
|
|
||||
|
|
US1D | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS |
|
|
||||
|
|
US1D | HOTTECH | 62 887 | 1.03 | ||||
|
|
US1D | PANJIT | 316 | 7.65 | ||||
|
|
US1D | SUNTAN | 48 | 1.75 | ||||
|
|
US1D | YANGJIE |
|
|
||||
|
|
US1D | YANGJIE (YJ) |
|
|
||||
|
|
US1D | ASEMI | 80 |
1.52 >100 шт. 0.76 |
||||
|
|
US1D | SUNMATE | 2 992 |
1.28 >100 шт. 0.64 |
||||
|
|
US1D | YANGZHOU YANGJIE |
|
|
||||
|
|
US1D | KEEN SIDE | 3 920 |
1.50 >100 шт. 0.75 |
||||
|
|
US1D | MIC |
|
|
||||
|
|
US1D | 293 |
|
|
