MURS120T3G


Ультрабыстрый выпрямительный диод smd (Vr=200V, I=1A, Ifsm=35A, Vf=1.25V@I=1A

Купить MURS120T3G ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
MURS120T3G
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС Купить
MURS120T3G (ON SEMICONDUCTOR.) 580 3-4 недели
Цена по запросу
MURS120T3G 8 080 10.18 
MURS120T3G (ONS) 10 063 36.45 
MURS120T3G (JSMICRO) 4 706 2.75 

Версия для печати

Технические характеристики MURS120T3G

Current - Reverse Leakage @ Vr2µA @ 200V
Current - Average Rectified (Io)2A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)200V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If875mV @ 1A
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Diode TypeStandard
СкоростьFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)35ns
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)DO-214AA, SMB
КорпусSMB
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

MURS120T3

Surface Mount Ultrafast Power Rectifiers

Также в этом файле: MURS120T3G

Производитель:
ON Semiconductor
//www.onsemi.com

MURS120T3G datasheet
83.91Kb
6стр.

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)     924 16.23 
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   ST MICROELECTRONICS 3 420 21.56 
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   ON SEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   ON SEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   ST MICROELECTRONICS SEMI Заказ радиодеталей цена радиодетали
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   STMICROELECTRONICS Заказ радиодеталей цена радиодетали
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   ST MICROELECTR Заказ радиодеталей цена радиодетали
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   ИНДИЯ Заказ радиодеталей цена радиодетали
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   PILIPINES Заказ радиодеталей цена радиодетали
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   ST1 Заказ радиодеталей цена радиодетали
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   ST MICROELECTRO Заказ радиодеталей цена радиодетали
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   STMICROELECTR Заказ радиодеталей цена радиодетали
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   CHANGJIANG Заказ радиодеталей цена радиодетали
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   KLS Заказ радиодеталей цена радиодетали
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   HOTTECH 1 082 10.53 
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   CHINA Заказ радиодеталей цена радиодетали
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   JSCJ Заказ радиодеталей цена радиодетали
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   1 Заказ радиодеталей цена радиодетали
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   ИМОРТ Заказ радиодеталей цена радиодетали
CA56-12SRWA Cемисегм. индикатор, 4-х разрядный, красный, размер симв.14,20х8,00mm, ...   KB Заказ радиодеталей цена радиодетали
CA56-12SRWA Cемисегм. индикатор, 4-х разрядный, красный, размер симв.14,20х8,00mm, ...   KINGBRIGHT Заказ радиодеталей цена радиодетали
CA56-12SRWA Cемисегм. индикатор, 4-х разрядный, красный, размер симв.14,20х8,00mm, ...     Заказ радиодеталей 171.92 
CA56-12SRWA Cемисегм. индикатор, 4-х разрядный, красный, размер симв.14,20х8,00mm, ...   KGB Заказ радиодеталей цена радиодетали
CA56-12SRWA Cемисегм. индикатор, 4-х разрядный, красный, размер симв.14,20х8,00mm, ...   ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) Заказ радиодеталей цена радиодетали
CA56-12SRWA Cемисегм. индикатор, 4-х разрядный, красный, размер симв.14,20х8,00mm, ...   ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) Заказ радиодеталей цена радиодетали
CA56-12SRWA Cемисегм. индикатор, 4-х разрядный, красный, размер симв.14,20х8,00mm, ...   КИТАЙ Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRFB23N20D Силовой МOSFET транзистор с дискретным N-каналом   INTERNATIONAL RECTIFIER Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRFB23N20D Силовой МOSFET транзистор с дискретным N-каналом     Заказ радиодеталей 260.00 
IRFB23N20D Силовой МOSFET транзистор с дискретным N-каналом   INFINEON Заказ радиодеталей цена радиодетали
MMBT5401LT1G Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23   ON SEMICONDUCTOR 4 1.80 
MMBT5401LT1G Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23   ONS 7 176 4.65 
MMBT5401LT1G Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23   ON SEMICONDUCTOR 794 цена радиодетали
MMBT5401LT1G Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23     Заказ радиодеталей цена радиодетали
MMBT5401LT1G Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23   ON SEMICONDUCTO Заказ радиодеталей цена радиодетали
MMBT5401LT1G Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23   ONSEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
MMBT5401LT1G Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23   0.00 Заказ радиодеталей цена радиодетали
  MMBT5551LT1G     ON SEMICONDUCTOR 132 1.68 
  MMBT5551LT1G     ONS 11 975 4.57 
  MMBT5551LT1G     ON SEMICONDUCTOR 5 108 цена радиодетали
  MMBT5551LT1G       320 1.10 
  MMBT5551LT1G     ON SEMICONDUCTO Заказ радиодеталей цена радиодетали
  MMBT5551LT1G     ONSEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
  MMBT5551LT1G     SEMTECH Заказ радиодеталей цена радиодетали
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход