Версия для печати
Технические характеристики MURS120T3G

Current - Reverse Leakage @ Vr	2µA @ 200V
Current - Average Rectified (Io)	2A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	200V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	875mV @ 1A
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Diode Type	Standard
Скорость	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)	35ns
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	DO-214AA, SMB
Корпус	SMB

MURS120T3 Surface Mount Ultrafast Power Rectifiers Также в этом файле: MURS120T3G Производитель: ON Semiconductor //www.onsemi.com MURS120T3G datasheet 83.91Kb 6стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Диоды

 » 

Диоды, выпрямители - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		CA56-12SRWA		Cемисегм. индикатор, 4-х разрядный, красный, размер симв.14,20х8,00mm, ...	KB
		CA56-12SRWA		Cемисегм. индикатор, 4-х разрядный, красный, размер симв.14,20х8,00mm, ...	KINGBRIGHT
		CA56-12SRWA		Cемисегм. индикатор, 4-х разрядный, красный, размер симв.14,20х8,00mm, ...			171.92
		CA56-12SRWA		Cемисегм. индикатор, 4-х разрядный, красный, размер симв.14,20х8,00mm, ...	KGB
		CA56-12SRWA		Cемисегм. индикатор, 4-х разрядный, красный, размер симв.14,20х8,00mm, ...	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		CA56-12SRWA		Cемисегм. индикатор, 4-х разрядный, красный, размер симв.14,20х8,00mm, ...	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		CA56-12SRWA		Cемисегм. индикатор, 4-х разрядный, красный, размер симв.14,20х8,00mm, ...	КИТАЙ
		IRFB23N20D		Силовой МOSFET транзистор с дискретным N-каналом	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFB23N20D		Силовой МOSFET транзистор с дискретным N-каналом			260.00
		IRFB23N20D		Силовой МOSFET транзистор с дискретным N-каналом	INFINEON
		MMBD1503A			FAIR
		MMBD1503A				716	2.03
		MMBD1503A			FAIRCHILD
		MMBD1503A			FAIRCHILD	5 758
		MMBD1503A			Fairchild Semiconductor
		MMBD1503A			FSC
		MMBD1503A			ONS	23 510	10.74
		MMBD1503A			ONS-FAIR
		MMBD1503A			ON SEMICONDUCTOR
		MMBD1503A			LGE	1 200	4.13
		MMBD1503A			JSCJ	112 714	1.75
		MMBT5401LT1G		Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23	ON SEMICONDUCTOR	4	1.61
		MMBT5401LT1G		Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23	ONS	6 561	4.57
		MMBT5401LT1G		Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23	ON SEMICONDUCTOR	794
		MMBT5401LT1G		Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23
		MMBT5401LT1G		Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23	ON SEMICONDUCTO
		MMBT5401LT1G		Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23	ONSEMICONDUCTOR
		MMBT5401LT1G		Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23	0.00
		MMBT5551LT1G			ON SEMICONDUCTOR	132	1.68
		MMBT5551LT1G			ONS	11 923	4.50
		MMBT5551LT1G			ON SEMICONDUCTOR	5 108
		MMBT5551LT1G				320	1.10
		MMBT5551LT1G			ON SEMICONDUCTO
		MMBT5551LT1G			ONSEMICONDUCTOR
		MMBT5551LT1G			SEMTECH

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"