Версия для печати
Технические характеристики TSV992AIDT

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Тип усилителя	General Purpose
Число каналов	2
Тип выхода	Rail-to-Rail
Output Type	Rail-to-Rail
Скорость нарастания выходного напряжения	10 V/µs
Полоса пропускания	20MHz
Ток - входного смещения	1pA
Ток выходной	820µA
Ток выходной / канал	35mA
Напряжение-выходное, Single/Dual (±)	2.5 V ~ 5.5 V
Рабочая температура	-40°C ~ 125°C
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SO

TSV992AIDT datasheet

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Обработка сигналов

 » 

Усилители

 » 

Операционные, буферные усилители

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		FDV303N		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (25V, 0.68A, 0.35W)	FAIR
		FDV303N		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (25V, 0.68A, 0.35W)	FAIRCHILD
		FDV303N		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (25V, 0.68A, 0.35W)	FAIRCHILD	1 365
		FDV303N		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (25V, 0.68A, 0.35W)	Fairchild Semiconductor
		FDV303N		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (25V, 0.68A, 0.35W)		2 800	1.54
		FDV303N		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (25V, 0.68A, 0.35W)	FSC
		FDV303N		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (25V, 0.68A, 0.35W)	ONS
		FDV303N		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (25V, 0.68A, 0.35W)	ONS-FAIR
		FDV303N		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (25V, 0.68A, 0.35W)	KLS
		FDV303N		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (25V, 0.68A, 0.35W)	KEXIN
		FDV303N		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (25V, 0.68A, 0.35W)	MSKSEMI	23 197	1.71
		FDV303N		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (25V, 0.68A, 0.35W)	VBSEMI
		LM3671MF-3.3			NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM3671MF-3.3
		LM3671MF-3.3			NSC
		LM3671MF-3.3			США
		LM3671MF-3.3			СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
		LM3671MF-3.3
		LM3671MF-3.3			TEXAS
		LM3671MF-3.3			TEXAS INSTRUMENTS
		LM3671MF-3.3			1
		LM3671MF-3.3			4-7 НЕДЕЛЬ	87
		MBR0520LT1G		Диод Шоттки smd (U=20V, I=0.5A, Vf=0.385V@I=0.5A&T=25C, Vf=0.33V@I=0.5A&T=100C, -65 to ...	FAI/QTC
		MBR0520LT1G		Диод Шоттки smd (U=20V, I=0.5A, Vf=0.385V@I=0.5A&T=25C, Vf=0.33V@I=0.5A&T=100C, -65 to ...	ON SEMICONDUCTOR
		MBR0520LT1G		Диод Шоттки smd (U=20V, I=0.5A, Vf=0.385V@I=0.5A&T=25C, Vf=0.33V@I=0.5A&T=100C, -65 to ...		12 890	5.04
		MBR0520LT1G		Диод Шоттки smd (U=20V, I=0.5A, Vf=0.385V@I=0.5A&T=25C, Vf=0.33V@I=0.5A&T=100C, -65 to ...	ONS	712	27.90
		MBR0520LT1G		Диод Шоттки smd (U=20V, I=0.5A, Vf=0.385V@I=0.5A&T=25C, Vf=0.33V@I=0.5A&T=100C, -65 to ...	ON SEMICONDUCTOR	9 884
		MBR0520LT1G		Диод Шоттки smd (U=20V, I=0.5A, Vf=0.385V@I=0.5A&T=25C, Vf=0.33V@I=0.5A&T=100C, -65 to ...	ONSEMICONDUCTOR
		MBR0520LT1G		Диод Шоттки smd (U=20V, I=0.5A, Vf=0.385V@I=0.5A&T=25C, Vf=0.33V@I=0.5A&T=100C, -65 to ...	ON SEMICONDUCTO
		MBR0520LT1G		Диод Шоттки smd (U=20V, I=0.5A, Vf=0.385V@I=0.5A&T=25C, Vf=0.33V@I=0.5A&T=100C, -65 to ...	ONS-FAIR
		MBR0520LT1G		Диод Шоттки smd (U=20V, I=0.5A, Vf=0.385V@I=0.5A&T=25C, Vf=0.33V@I=0.5A&T=100C, -65 to ...	HOTTECH
		MBR0520LT1G		Диод Шоттки smd (U=20V, I=0.5A, Vf=0.385V@I=0.5A&T=25C, Vf=0.33V@I=0.5A&T=100C, -65 to ...	ONSEMI	18 577	6.78
		MBR0520LT1G		Диод Шоттки smd (U=20V, I=0.5A, Vf=0.385V@I=0.5A&T=25C, Vf=0.33V@I=0.5A&T=100C, -65 to ...	JSMICRO	9 830	1.69
		NCP1521BSNT1G			ONS
		NCP1521BSNT1G			ON SEMICONDUCTOR
		NCP1521BSNT1G			ON SEMICONDUCTOR
		NCP1521BSNT1G
		NCP1521BSNT1G			ONS-FAIR
		NCP1521BSNT1G			4-7 НЕДЕЛЬ	456
		TP0101K-T1-E3			SILICONIX
		TP0101K-T1-E3			VISHAY
		TP0101K-T1-E3			SILICONIX	38
		TP0101K-T1-E3			VISHAY
		TP0101K-T1-E3					75.32
		TP0101K-T1-E3			Vishay/Siliconix

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"