Версия для печати
Технические характеристики MAX474ESA

Корпус	8-SOIC
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Тип монтажа	Поверхностный
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C
Напряжение-выходное, Single/Dual (±)	2.7 V ~ 5.25 V, ±1.35 V ~ 2.625 V
Ток выходной	2mA
Напряжение входного смещения	700µV
Ток - входного смещения	80nA
Полоса пропускания	12MHz
Скорость нарастания выходного напряжения	17 V/µs
Тип выхода	Rail-to-Rail
Число каналов	2
Тип усилителя	General Purpose
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Output Type	Rail-to-Rail

MAX474 Single / Dual / Quad, 10MHz Single-Supply Op Amps Также в этом файле: MAX474ESA Производитель: Maxim Integrated Products //www.maxim-ic.com MAX474ESA datasheet 144.36Kb 12стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Обработка сигналов

 » 

Усилители

 » 

Операционные, буферные усилители

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		FDV303N		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (25V, 0.68A, 0.35W)	FAIR
		FDV303N		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (25V, 0.68A, 0.35W)	FAIRCHILD
		FDV303N		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (25V, 0.68A, 0.35W)	FAIRCHILD	1 365
		FDV303N		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (25V, 0.68A, 0.35W)	Fairchild Semiconductor
		FDV303N		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (25V, 0.68A, 0.35W)		400	1.56
		FDV303N		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (25V, 0.68A, 0.35W)	FSC
		FDV303N		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (25V, 0.68A, 0.35W)	ONS
		FDV303N		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (25V, 0.68A, 0.35W)	ONS-FAIR
		FDV303N		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (25V, 0.68A, 0.35W)	KLS
		FDV303N		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (25V, 0.68A, 0.35W)	KEXIN
		FDV303N		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (25V, 0.68A, 0.35W)	MSKSEMI	3 336	1.80
		FDV303N		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (25V, 0.68A, 0.35W)	VBSEMI
		MAX13487EESA+T			MAX
		MAX13487EESA+T			MAX1
		MAX13487EESA+T			MAXIM	1 992	77.90
		MAX13487EESA+T			MAXIM INTEGR
		MAX13487EESA+T			0.00
		MAX13487EESA+T			MAX/DALL
		MAX13487EESA+T			JSMICRO	486	51.13
		MAX13487EESA+T			ANALOG DEVICES
		MAX13487EESA+T			MAXIM INTEGRATED	505	79.55
		MBR0520LT1G		Диод Шоттки smd (U=20V, I=0.5A, Vf=0.385V@I=0.5A&T=25C, Vf=0.33V@I=0.5A&T=100C, -65 to ...	FAI/QTC
		MBR0520LT1G		Диод Шоттки smd (U=20V, I=0.5A, Vf=0.385V@I=0.5A&T=25C, Vf=0.33V@I=0.5A&T=100C, -65 to ...	ON SEMICONDUCTOR
		MBR0520LT1G		Диод Шоттки smd (U=20V, I=0.5A, Vf=0.385V@I=0.5A&T=25C, Vf=0.33V@I=0.5A&T=100C, -65 to ...		12 878	5.12
		MBR0520LT1G		Диод Шоттки smd (U=20V, I=0.5A, Vf=0.385V@I=0.5A&T=25C, Vf=0.33V@I=0.5A&T=100C, -65 to ...	ONS	759	27.90
		MBR0520LT1G		Диод Шоттки smd (U=20V, I=0.5A, Vf=0.385V@I=0.5A&T=25C, Vf=0.33V@I=0.5A&T=100C, -65 to ...	ON SEMICONDUCTOR	9 884
		MBR0520LT1G		Диод Шоттки smd (U=20V, I=0.5A, Vf=0.385V@I=0.5A&T=25C, Vf=0.33V@I=0.5A&T=100C, -65 to ...	ONSEMICONDUCTOR
		MBR0520LT1G		Диод Шоттки smd (U=20V, I=0.5A, Vf=0.385V@I=0.5A&T=25C, Vf=0.33V@I=0.5A&T=100C, -65 to ...	ON SEMICONDUCTO
		MBR0520LT1G		Диод Шоттки smd (U=20V, I=0.5A, Vf=0.385V@I=0.5A&T=25C, Vf=0.33V@I=0.5A&T=100C, -65 to ...	ONS-FAIR
		MBR0520LT1G		Диод Шоттки smd (U=20V, I=0.5A, Vf=0.385V@I=0.5A&T=25C, Vf=0.33V@I=0.5A&T=100C, -65 to ...	HOTTECH
		MBR0520LT1G		Диод Шоттки smd (U=20V, I=0.5A, Vf=0.385V@I=0.5A&T=25C, Vf=0.33V@I=0.5A&T=100C, -65 to ...	ONSEMI	18 577	2.27
		MBR0520LT1G		Диод Шоттки smd (U=20V, I=0.5A, Vf=0.385V@I=0.5A&T=25C, Vf=0.33V@I=0.5A&T=100C, -65 to ...	JSMICRO	10 608	1.73
		MUR4100			MCC
		MUR4100				3 656	5.08
		TJ8-8P8 CЕТЕВАЯ РОЗЕТКА				4 475	22.35

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"